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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलSTW7NK90Z
STMicroelectronics
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STW7NK90Z - STMicroelectronics

उत्पादक भाग संख्या
STW7NK90Z
उत्पादक
STMicroelectronics
Allelco भाग संख्या
32D-STW7NK90Z
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 900V 5.8A TO247-3
पैकेज
TO-247-3
विवरण तालिका
STx(6,7)NK90Z(FP).pdf
RoHs स्थिति
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मात्रा
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विशेष विवरण

STW7NK90Z तकनीकी विनिर्देश
STMicroelectronics - STW7NK90Z तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और STMicroelectronics - STW7NK90Z के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक STMicroelectronics  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4.5V @ 100µA  
वीजीएस (मैक्स) ±30V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-247-3  
शृंखला SuperMESH™  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 2Ohm @ 2.9A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 140W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-247-3  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1350 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 60.5 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 900 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 5.8A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या STW7NK90  

पर्यावरण और निर्यात वर्गीकरण

गुण विवरण
RoHs स्थिति
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) 1 (Unlimited)
तक पहुँचने की स्थिति REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में STMicroelectronics STW7NK90Z के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता STW7NK90Z STW7N105K5 STW78N65M5 STW7N95K3
भाग संख्या STW7NK90Z STW7N105K5 STW78N65M5 STW7N95K3
उत्पादक STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
आधार उत्पाद संख्या STW7NK90 STW7N105 STW78 STW7N95
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4.5V @ 100µA 5V @ 100µA 5V @ 250µA 5V @ 100µA
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1350 pF @ 25 V 380 pF @ 100 V 9000 pF @ 100 V 1031 pF @ 100 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 60.5 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 203 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
शृंखला SuperMESH™ SuperMESH5™ Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ V SuperMESH3™
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 5.8A (Tc) 4A (Tc) 69A (Tc) 7.2A (Tc)
पैकेज / प्रकरण TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 2Ohm @ 2.9A, 10V 2Ohm @ 2A, 10V 32mOhm @ 34.5A, 10V 1.35Ohm @ 3.6A, 10V
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
पैकेट Tube Tube Tube Tube
FET फ़ीचर - - - -
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 900 V 1050 V 650 V 950 V
वीजीएस (मैक्स) ±30V ±30V ±25V ±30V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 140W (Tc) 110W (Tc) 450W (Tc) 150W (Tc)

STW7NK90Z डेटशीट पीडीएफ

STW7NK90Z - STMicroelectronics के लिए STW7NK90Z PDF DataSheets और STMicroelectronics प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
STx(6,7)NK90Z(FP).pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
New Molding Compound 13/Sep/2019.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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