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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलSTW80NE06-10
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STW80NE06-10 - STMicroelectronics

उत्पादक भाग संख्या
STW80NE06-10
उत्पादक
STMicroelectronics
Allelco भाग संख्या
32D-STW80NE06-10
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 60V 80A TO247-3
पैकेज
TO-247-3
विवरण तालिका
STW80NE06-10.pdf
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विशेष विवरण

STW80NE06-10 तकनीकी विनिर्देश
STMicroelectronics - STW80NE06-10 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और STMicroelectronics - STW80NE06-10 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक STMicroelectronics  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-247-3  
शृंखला STripFET™  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 10mOhm @ 40A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 250W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-247-3  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 7600 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 189 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 60 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 80A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या STW80N  

पर्यावरण और निर्यात वर्गीकरण

गुण विवरण
RoHs स्थिति RoHS गैर-आज्ञाकारी
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) 1 (Unlimited)
तक पहुँचने की स्थिति REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में STMicroelectronics STW80NE06-10 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता STW80NE06-10 STW7N90K5 STW80NF55-08 STW7N95K3
भाग संख्या STW80NE06-10 STW7N90K5 STW80NF55-08 STW7N95K3
उत्पादक STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 80A (Tc) 7A (Tc) 80A (Tc) 7.2A (Tc)
परिचालन तापमान 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
आधार उत्पाद संख्या STW80N STW7N90 STW80N STW7N95
शृंखला STripFET™ MDmesh™ K5 STripFET™ SuperMESH3™
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET फ़ीचर - - - -
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 7600 pF @ 25 V - 3850 pF @ 25 V 1031 pF @ 100 V
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
पैकेट Tube Tube Tube Tube
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
पैकेज / प्रकरण TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 5V @ 100µA 4V @ 250µA 5V @ 100µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 189 nC @ 10 V - 150 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 10mOhm @ 40A, 10V - 8mOhm @ 40A, 10V 1.35Ohm @ 3.6A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 250W (Tc) 110W (Tc) 300W (Tc) 150W (Tc)
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±30V ±20V ±30V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 60 V 900 V 55 V 950 V

STW80NE06-10 डेटशीट पीडीएफ

STW80NE06-10 - STMicroelectronics के लिए STW80NE06-10 PDF DataSheets और STMicroelectronics प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
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डिलीवरी का समय

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  1. यदि आपके पास एक है तो शिपमेंट के लिए अपने एक्सप्रेस खाते का उपयोग करें।
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(अलग -अलग समय सीमा / देश / पैकेज आकार की कीमत अलग है।)

डिलिवरी विधि

  1. डीएचएल / यूपीएस / फेडएक्स / टीएनटी / ईएमएस / एसएफ द्वारा वैश्विक सामान्य शिपमेंट हम समर्थन करते हैं।
  2. अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
टिप्पणी:
उपरोक्त तालिका केवल संदर्भ के लिए है।बेकाबू कारकों के लिए कुछ डेटा पूर्वाग्रह हो सकते हैं।
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भुगतान समर्थन

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