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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलSI4090DY-T1-GE3
SI4090DY-T1-GE3 Image
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SI4090DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix

उत्पादक भाग संख्या
SI4090DY-T1-GE3
उत्पादक
Vishay / Siliconix
Allelco भाग संख्या
32D-SI4090DY-T1-GE3
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO
विस्तृत विवरण
पैकेज
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
विवरण तालिका
Si4090DY.pdf
RoHs स्थिति
स्टॉक में: 66720

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मात्रा

विशेष विवरण

SI4090DY-T1-GE3 तकनीकी विनिर्देश
Vishay Siliconix - SI4090DY-T1-GE3 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Vishay Siliconix - SI4090DY-T1-GE3 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Vishay / Siliconix  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 3.3V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज 8-SOIC  
शृंखला TrenchFET®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 10mOhm @ 15A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 2410 pF @ 50 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 69 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 6V, 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 19.7A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या SI4090  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Vishay Siliconix SI4090DY-T1-GE3 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता SI4090DY-T1-GE3 SI4103DY-T1-GE3 SI4058DY-T1-GE3 SI4101DY-T1-GE3
भाग संख्या SI4090DY-T1-GE3 SI4103DY-T1-GE3 SI4058DY-T1-GE3 SI4101DY-T1-GE3
उत्पादक Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) 2.5W (Ta), 5.2W (Tc) 5.6W (Tc) 6W (Tc)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 3.3V @ 250µA 2V @ 250µA 2.8V @ 250µA 2.5V @ 250µA
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 6V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 19.7A (Tc) 14A (Ta), 16A (Tc) 10.3A (Tc) 25.7A (Tc)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V 30 V 100 V 30 V
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 69 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 203 nC @ 10 V
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V
FET फ़ीचर - - - -
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
प्रदायक डिवाइस पैकेज 8-SOIC 8-SO 8-SOIC 8-SOIC
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 10mOhm @ 15A, 10V 7.9mOhm @ 10A, 10V 26mOhm @ 10A, 10V 6mOhm @ 15A, 10V
शृंखला TrenchFET® TrenchFET® Gen III - TrenchFET®
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 2410 pF @ 50 V 5200 pF @ 15 V 690 pF @ 50 V 8190 pF @ 15 V
FET प्रकार N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
पैकेज / प्रकरण 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
आधार उत्पाद संख्या SI4090 SI4103 SI4058 SI4101

SI4090DY-T1-GE3 डेटशीट पीडीएफ

SI4090DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix के लिए SI4090DY-T1-GE3 PDF DataSheets और Vishay Siliconix प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
Si4090DY.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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SI4090DY-T1-GE3

Vishay Siliconix
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