Name: Vishay Siliconix SI4102DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4102DY-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (5 reviews)

विशेष विवरण

SI4102DY-T1-GE3 तकनीकी विनिर्देश
Vishay Siliconix - SI4102DY-T1-GE3 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Vishay Siliconix - SI4102DY-T1-GE3 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
उत्पादक	Vishay / Siliconix
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	4V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)	±20V
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज	8-SOIC
शृंखला	TrenchFET®
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	158mOhm @ 2.7A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	2.4W (Ta), 4.8W (Tc)
पैकेज / प्रकरण	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
पैकेट	Tape & Reel (TR)

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	370 pF @ 50 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	11 nC @ 10 V
FET प्रकार	N-Channel
FET फ़ीचर	-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	6V, 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	100 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	3.8A (Tc)
आधार उत्पाद संख्या	SI4102

पर्यावरण और निर्यात वर्गीकरण

गुण	विवरण
RoHs स्थिति
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)	1 (Unlimited)
तक पहुँचने की स्थिति
ECCN	EAR99
HTSUS

शिपमेंट

डिलीवरी का समय

इन-स्टॉक आइटम को 24 घंटे के भीतर भेजा जा सकता है।कुछ हिस्सों को 1-2 दिनों के भीतर डिलीवरी के लिए व्यवस्थित किया जाएगा, जिस तारीख से सभी आइटम हमारे गोदाम में आते हैं।और Allelco जहाज दिन में एक बार रविवार को छोड़कर लगभग 17:00 बजे ऑर्डर करते हैं।एक बार माल भेजने के बाद, अनुमानित डिलीवरी का समय शिपिंग विधियों और वितरण गंतव्य पर निर्भर करता है।नीचे दी गई तालिका कुछ सामान्य देशों के लिए लॉजिस्टिक समय है।

वितरण लागत

यदि आपके पास एक है तो शिपमेंट के लिए अपने एक्सप्रेस खाते का उपयोग करें।
शिपमेंट के लिए हमारे खाते का उपयोग करें।अनुमानित शुल्क के लिए नीचे दी गई तालिका देखें।

(अलग -अलग समय सीमा / देश / पैकेज आकार की कीमत अलग है।)

डिलिवरी विधि

डीएचएल / यूपीएस / फेडएक्स / टीएनटी / ईएमएस / एसएफ द्वारा वैश्विक सामान्य शिपमेंट हम समर्थन करते हैं।
अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र	देश	लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका	संयुक्त राज्य अमेरिका	5
अमेरिका	ब्राज़िल	7
यूरोप	जर्मनी	5
	यूनाइटेड किंगडम	4
	इटली	5
ओशिनिया	ऑस्ट्रेलिया	6
ओशिनिया	न्यूज़ीलैंड	5
एशिया	भारत	4
एशिया	जापान	4
मध्य पूर्व	इजराइल	6

डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क	संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा	USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा	USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा	USD $50.00 - USD $100.00

टिप्पणी:: उपरोक्त तालिका केवल संदर्भ के लिए है।बेकाबू कारकों के लिए कुछ डेटा पूर्वाग्रह हो सकते हैं।
अगर तुम्हारे पास कोई सवाल है तो हमसे संपर्क करें।

कृपया हमारे आधिकारिक संस्करण के रूप में अंग्रेजी संस्करण देखें।

SI4102DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix

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उत्पाद विशेषता
भाग संख्या	SI4102DY-T1-GE3	SI4100DY-T1-GE3	SI4090DY-T1-GE3	SI4104DY-T1-E3
उत्पादक	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	100 V	100 V	100 V	100 V
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	6V, 10V	6V, 10V	6V, 10V	10V
वीजीएस (मैक्स)	±20V	±20V	±20V	±20V
शृंखला	TrenchFET®	TrenchFET®	TrenchFET®	TrenchFET®
पैकेट	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
FET प्रकार	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	11 nC @ 10 V	20 nC @ 10 V	69 nC @ 10 V	13 nC @ 10 V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	370 pF @ 50 V	600 pF @ 50 V	2410 pF @ 50 V	446 pF @ 50 V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	4V @ 250µA	4.5V @ 250µA	3.3V @ 250µA	4.5V @ 250µA
आधार उत्पाद संख्या	SI4102	SI4100	SI4090	SI4104
पैकेज / प्रकरण	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	2.4W (Ta), 4.8W (Tc)	2.5W (Ta), 6W (Tc)	3.5W (Ta), 7.8W (Tc)	2.5W (Ta), 5W (Tc)
प्रदायक डिवाइस पैकेज	8-SOIC	8-SOIC	8-SOIC	8-SOIC
FET फ़ीचर	-	-	-	-
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	3.8A (Tc)	6.8A (Tc)	19.7A (Tc)	4.6A (Tc)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	158mOhm @ 2.7A, 10V	63mOhm @ 4.4A, 10V	10mOhm @ 15A, 10V	105mOhm @ 5A, 10V

कृपया हमारे आधिकारिक संस्करण के रूप में अंग्रेजी संस्करण देखें।वापस करना

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वितरण लागत

डिलिवरी विधि

भुगतान समर्थन

आपका वफादार आपूर्ति श्रृंखला भागीदार -

अगर तुम्हारे पास कोई सवाल है तो हमसे संपर्क करें।

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