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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलSIHB12N50C-E3
Vishay Siliconix
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SIHB12N50C-E3 - Vishay Siliconix

उत्पादक भाग संख्या
SIHB12N50C-E3
उत्पादक
Vishay / Siliconix
Allelco भाग संख्या
32D-SIHB12N50C-E3
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
विवरण तालिका
SIH(P,B,F)12N50C-E3.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
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मात्रा

विशेष विवरण

SIHB12N50C-E3 तकनीकी विनिर्देश
Vishay Siliconix - SIHB12N50C-E3 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Vishay Siliconix - SIHB12N50C-E3 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Vishay / Siliconix  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±30V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज D²PAK (TO-263)  
शृंखला -  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 555mOhm @ 4A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 208W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1375 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 48 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 500 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 12A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या SIHB12  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Vishay Siliconix SIHB12N50C-E3 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता SIHB12N50C-E3 SIHB22N60E-GE3 SIHB15N60E-GE3 SIHB16N50C-E3
भाग संख्या SIHB12N50C-E3 SIHB22N60E-GE3 SIHB15N60E-GE3 SIHB16N50C-E3
उत्पादक Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 12A (Tc) 21A (Tc) 15A (Tc) 16A (Tc)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1375 pF @ 25 V 1920 pF @ 100 V 1350 pF @ 100 V 1900 pF @ 25 V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET फ़ीचर - - - -
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
शृंखला - - - -
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 208W (Tc) 227W (Tc) 180W (Tc) 250W (Tc)
पैकेट Tape & Reel (TR) Tube Bulk Tube
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
आधार उत्पाद संख्या SIHB12 SIHB22 SIHB15 SIHB16
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 555mOhm @ 4A, 10V 180mOhm @ 11A, 10V 280mOhm @ 8A, 10V 380mOhm @ 8A, 10V
वीजीएस (मैक्स) ±30V ±30V ±30V ±30V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 48 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 500 V 600 V 600 V 500 V
प्रदायक डिवाइस पैकेज D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)

SIHB12N50C-E3 डेटशीट पीडीएफ

SIHB12N50C-E3 - Vishay Siliconix के लिए SIHB12N50C-E3 PDF DataSheets और Vishay Siliconix प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
SIH(P,B,F)12N50C-E3.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
Additional Assembly Site 21/Oct/2016.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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