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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलSIHB15N60E-GE3
Vishay Siliconix
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SIHB15N60E-GE3 - Vishay Siliconix

उत्पादक भाग संख्या
SIHB15N60E-GE3
उत्पादक
Vishay / Siliconix
Allelco भाग संख्या
32D-SIHB15N60E-GE3
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
विवरण तालिका
SiHB15N60E.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
स्टॉक में: 21121

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मात्रा

विशेष विवरण

SIHB15N60E-GE3 तकनीकी विनिर्देश
Vishay Siliconix - SIHB15N60E-GE3 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Vishay Siliconix - SIHB15N60E-GE3 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Vishay / Siliconix  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±30V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज D²PAK (TO-263)  
शृंखला -  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 280mOhm @ 8A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 180W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
पैकेट Bulk  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1350 pF @ 100 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 78 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 600 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 15A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या SIHB15  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Vishay Siliconix SIHB15N60E-GE3 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता SIHB15N60E-GE3 SIHA22N60E-GE3 SIHB22N60E-GE3 SIHB16N50C-E3
भाग संख्या SIHB15N60E-GE3 SIHA22N60E-GE3 SIHB22N60E-GE3 SIHB16N50C-E3
उत्पादक Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
FET फ़ीचर - - - -
प्रदायक डिवाइस पैकेज D²PAK (TO-263) TO-220 Full Pack D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
आधार उत्पाद संख्या SIHB15 - SIHB22 SIHB16
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 78 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
पैकेट Bulk Tape & Reel (TR) Tube Tube
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
शृंखला - EL - -
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 600 V 600 V 600 V 500 V
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 Full Pack TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1350 pF @ 100 V 1920 pF @ 100 V 1920 pF @ 100 V 1900 pF @ 25 V
वीजीएस (मैक्स) ±30V ±30V ±30V ±30V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 180W (Tc) 35W (Tc) 227W (Tc) 250W (Tc)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 280mOhm @ 8A, 10V 180mOhm @ 11A, 10V 180mOhm @ 11A, 10V 380mOhm @ 8A, 10V
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 15A (Tc) 8A (Tc) 21A (Tc) 16A (Tc)
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

SIHB15N60E-GE3 डेटशीट पीडीएफ

SIHB15N60E-GE3 - Vishay Siliconix के लिए SIHB15N60E-GE3 PDF DataSheets और Vishay Siliconix प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
SiHB15N60E.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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