Name: onsemi NTH027N65S3F-F155
Brand: onsemi
SKU: NTH027N65S3F-F155

शिपमेंट

डिलीवरी का समय

इन-स्टॉक आइटम को 24 घंटे के भीतर भेजा जा सकता है।कुछ हिस्सों को 1-2 दिनों के भीतर डिलीवरी के लिए व्यवस्थित किया जाएगा, जिस तारीख से सभी आइटम हमारे गोदाम में आते हैं।और Allelco जहाज दिन में एक बार रविवार को छोड़कर लगभग 17:00 बजे ऑर्डर करते हैं।एक बार माल भेजने के बाद, अनुमानित डिलीवरी का समय शिपिंग विधियों और वितरण गंतव्य पर निर्भर करता है।नीचे दी गई तालिका कुछ सामान्य देशों के लिए लॉजिस्टिक समय है।

वितरण लागत

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शिपमेंट के लिए हमारे खाते का उपयोग करें।अनुमानित शुल्क के लिए नीचे दी गई तालिका देखें।

(अलग -अलग समय सीमा / देश / पैकेज आकार की कीमत अलग है।)

डिलिवरी विधि

डीएचएल / यूपीएस / फेडएक्स / टीएनटी / ईएमएस / एसएफ द्वारा वैश्विक सामान्य शिपमेंट हम समर्थन करते हैं।
अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र	देश	लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका	संयुक्त राज्य अमेरिका	5
अमेरिका	ब्राज़िल	7
यूरोप	जर्मनी	5
	यूनाइटेड किंगडम	4
	इटली	5
ओशिनिया	ऑस्ट्रेलिया	6
ओशिनिया	न्यूज़ीलैंड	5
एशिया	भारत	4
एशिया	जापान	4
मध्य पूर्व	इजराइल	6

डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क	संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा	USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा	USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा	USD $50.00 - USD $100.00

टिप्पणी:: उपरोक्त तालिका केवल संदर्भ के लिए है।बेकाबू कारकों के लिए कुछ डेटा पूर्वाग्रह हो सकते हैं।
अगर तुम्हारे पास कोई सवाल है तो हमसे संपर्क करें।

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
उत्पादक	onsemi
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	5V @ 7.5mA
वीजीएस (मैक्स)	±30V
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज	TO-247-3
शृंखला	FRFET®, SuperFET® II
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	27.4mOhm @ 35A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	595W (Tc)
पैकेज / प्रकरण	TO-247-3
पैकेट	Tube

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	7690 pF @ 400 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	259 nC @ 10 V
FET प्रकार	N-Channel
FET फ़ीचर	-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	650 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	75A (Tc)
आधार उत्पाद संख्या	NTH027

उत्पाद विशेषता
भाग संख्या	NTH027N65S3F-F155	NTH4L040N65S3F	NTH4L040N120SC1	NTH4L080N120SC1
उत्पादक	onsemi	onsemi	onsemi	onsemi
पैकेट	Tube	Tube	Tube	Tube
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	27.4mOhm @ 35A, 10V	40mOhm @ 32.5A, 10V	56mOhm @ 35A, 20V	110mOhm @ 20A, 20V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	5V @ 7.5mA	5V @ 2.1mA	4.3V @ 10mA	4.3V @ 5mA
आधार उत्पाद संख्या	NTH027	NTH4L040	NTH4L040	NTH4L080
FET प्रकार	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
पैकेज / प्रकरण	TO-247-3	TO-247-4	TO-247-4	TO-247-4
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	650 V	650 V	1200 V	1200 V
प्रदायक डिवाइस पैकेज	TO-247-3	TO-247-4L	TO-247-4L	TO-247-4L
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	10V	10V	20V	20V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	595W (Tc)	446W (Tc)	319W (Tc)	170W (Tc)
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
वीजीएस (मैक्स)	±30V	±30V	+25V, -15V	+25V, -15V
FET फ़ीचर	-	-	-	-
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	SiCFET (Silicon Carbide)	SiCFET (Silicon Carbide)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	259 nC @ 10 V	158 nC @ 10 V	106 nC @ 20 V	56 nC @ 20 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	75A (Tc)	65A (Tc)	58A (Tc)	29A (Tc)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	7690 pF @ 400 V	5940 pF @ 400 V	1762 pF @ 800 V	1670 pF @ 800 V
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole
शृंखला	FRFET®, SuperFET® II	FRFET®, SuperFET® III	-	-

कृपया हमारे आधिकारिक संस्करण के रूप में अंग्रेजी संस्करण देखें।

NTH027N65S3F-F155 - onsemi

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