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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलNVB082N65S3F
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NVB082N65S3F - onsemi

उत्पादक भाग संख्या
NVB082N65S3F
उत्पादक
onsemi
Allelco भाग संख्या
32D-NVB082N65S3F
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK-3
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
विवरण तालिका
NVB082N65S3F.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
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मात्रा

विशेष विवरण

NVB082N65S3F तकनीकी विनिर्देश
onsemi - NVB082N65S3F तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और onsemi - NVB082N65S3F के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक onsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 4mA  
वीजीएस (मैक्स) ±30V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज D²PAK-3 (TO-263-3)  
शृंखला Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 82mOhm @ 20A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 313W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 3410 pF @ 400 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 81 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 650 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 40A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या NVB082  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में onsemi NVB082N65S3F के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता NVB082N65S3F NVB110N65S3F NVB25P06T4G NVBG040N120SC1
भाग संख्या NVB082N65S3F NVB110N65S3F NVB25P06T4G NVBG040N120SC1
उत्पादक onsemi onsemi onsemi onsemi
वीजीएस (मैक्स) ±30V ±30V ±15V +25V, -15V
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 650 V 650 V 60 V 1200 V
शृंखला Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET® Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET® Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 82mOhm @ 20A, 10V 110mOhm @ 15A, 10V 82mOhm @ 25A, 10V 56mOhm @ 35A, 20V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 81 nC @ 10 V 58 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V 106 nC @ 20 V
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
FET प्रकार N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 20V
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
प्रदायक डिवाइस पैकेज D²PAK-3 (TO-263-3) D²PAK-3 (TO-263-3) D²PAK D2PAK-7
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 313W (Tc) 240W (Tc) 120W (Tj) 357W (Tc)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 40A (Tc) 30A (Tc) 27.5A (Ta) 60A (Tc)
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
आधार उत्पाद संख्या NVB082 NVB110 NVB25P NVBG040
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 3410 pF @ 400 V 2560 pF @ 400 V 1680 pF @ 25 V 1789 pF @ 800 V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) SiCFET (Silicon Carbide)
FET फ़ीचर - - - -
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 4mA 5V @ 3mA 4V @ 250µA 4.3V @ 10mA

NVB082N65S3F डेटशीट पीडीएफ

NVB082N65S3F - onsemi के लिए NVB082N65S3F PDF DataSheets और onsemi प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
NVB082N65S3F.pdf
पर्यावरण सूचना
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
Improve FAB Process 26/APR/2023.pdf Mult Dev DS/Doc Chgs 1/Oct/2020.pdf
पीसीएन पैकेजिंग
PACKING BOX CHANGE 13/Jul/2021.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
Assembly Change 09/May/2023.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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