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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलNVBG040N120SC1
onsemi
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NVBG040N120SC1 - onsemi

उत्पादक भाग संख्या
NVBG040N120SC1
उत्पादक
onsemi
Allelco भाग संख्या
32D-NVBG040N120SC1
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
TRANS SJT N-CH 1200V 60A D2PAK-7
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
विवरण तालिका
NVBG040N120SC1.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
स्टॉक में: 1740

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मात्रा

विशेष विवरण

NVBG040N120SC1 तकनीकी विनिर्देश
onsemi - NVBG040N120SC1 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और onsemi - NVBG040N120SC1 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक onsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4.3V @ 10mA  
वीजीएस (मैक्स) +25V, -15V  
प्रौद्योगिकी SiCFET (Silicon Carbide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज D2PAK-7  
शृंखला Automotive, AEC-Q101  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 56mOhm @ 35A, 20V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 357W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1789 pF @ 800 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 106 nC @ 20 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 20V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 1200 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 60A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या NVBG040  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में onsemi NVBG040N120SC1 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता NVBG040N120SC1 NVB082N65S3F BTS113AE3045ANTMA1 NVB25P06T4G
भाग संख्या NVBG040N120SC1 NVB082N65S3F BTS113AE3045ANTMA1 NVB25P06T4G
उत्पादक onsemi onsemi Infineon Technologies onsemi
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 60A (Tc) 40A (Tc) 11.5A (Tc) 27.5A (Ta)
पैकेज / प्रकरण TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 357W (Tc) 313W (Tc) 40W (Tc) 120W (Tj)
प्रौद्योगिकी SiCFET (Silicon Carbide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
आधार उत्पाद संख्या NVBG040 NVB082 - NVB25P
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 1200 V 650 V 60 V 60 V
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 56mOhm @ 35A, 20V 82mOhm @ 20A, 10V 170mOhm @ 5.8A, 4.5V 82mOhm @ 25A, 10V
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 20V 10V 4.5V 10V
वीजीएस (मैक्स) +25V, -15V ±30V ±10V ±15V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4.3V @ 10mA 5V @ 4mA 2.5V @ 1mA 4V @ 250µA
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1789 pF @ 800 V 3410 pF @ 400 V 560 pF @ 25 V 1680 pF @ 25 V
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
FET फ़ीचर - - - -
शृंखला Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET® TEMPFET® Automotive, AEC-Q101
प्रदायक डिवाइस पैकेज D2PAK-7 D²PAK-3 (TO-263-3) TO-220AB D²PAK
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 106 nC @ 20 V 81 nC @ 10 V - 50 nC @ 10 V
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

NVBG040N120SC1 डेटशीट पीडीएफ

NVBG040N120SC1 - onsemi के लिए NVBG040N120SC1 PDF DataSheets और onsemi प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
NVBG040N120SC1.pdf
पर्यावरण सूचना
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
पीसीएन पैकेजिंग
PACKING BOX CHANGE 13/Jul/2021.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
NTBG0x/NVBG0x 14/Dec/2022.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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