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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलNVB25P06T4G
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NVB25P06T4G - onsemi

उत्पादक भाग संख्या
NVB25P06T4G
उत्पादक
onsemi
Allelco भाग संख्या
32D-NVB25P06T4G
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
विवरण तालिका
NTB25P06.pdf
तुलना
स्टॉक में: 4130

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मात्रा

विशेष विवरण

NVB25P06T4G तकनीकी विनिर्देश
onsemi - NVB25P06T4G तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और onsemi - NVB25P06T4G के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक onsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±15V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज D²PAK  
शृंखला Automotive, AEC-Q101  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 82mOhm @ 25A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 120W (Tj)  
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1680 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 50 nC @ 10 V  
FET प्रकार P-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 60 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 27.5A (Ta)  
आधार उत्पाद संख्या NVB25P  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में onsemi NVB25P06T4G के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता NVB25P06T4G NVBG040N120SC1 NVB082N65S3F STP34N65M5
भाग संख्या NVB25P06T4G NVBG040N120SC1 NVB082N65S3F STP34N65M5
उत्पादक onsemi onsemi onsemi STMicroelectronics
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 60 V 1200 V 650 V 650 V
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
शृंखला Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET® MDmesh™ V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 50 nC @ 10 V 106 nC @ 20 V 81 nC @ 10 V 62.5 nC @ 10 V
FET फ़ीचर - - - -
प्रदायक डिवाइस पैकेज D²PAK D2PAK-7 D²PAK-3 (TO-263-3) TO-220
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 27.5A (Ta) 60A (Tc) 40A (Tc) 28A (Tc)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 82mOhm @ 25A, 10V 56mOhm @ 35A, 20V 82mOhm @ 20A, 10V 110mOhm @ 14A, 10V
वीजीएस (मैक्स) ±15V +25V, -15V ±30V ±25V
FET प्रकार P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4.3V @ 10mA 5V @ 4mA 5V @ 250µA
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 120W (Tj) 357W (Tc) 313W (Tc) 190W (Tc)
आधार उत्पाद संख्या NVB25P NVBG040 NVB082 STP34
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1680 pF @ 25 V 1789 pF @ 800 V 3410 pF @ 400 V 2700 pF @ 100 V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) SiCFET (Silicon Carbide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 20V 10V 10V

NVB25P06T4G डेटशीट पीडीएफ

NVB25P06T4G - onsemi के लिए NVB25P06T4G PDF DataSheets और onsemi प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
NTB25P06.pdf
पर्यावरण सूचना
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
पीसीएन अप्रचलन/ ईओएल
1Q2018 Product EOL 31/Mar/2018.pdf Mult Dev EOL 20/Dec/2021.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
Cancellation 13/Aug/2020.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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