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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलNVHL027N65S3F
onsemi
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NVHL027N65S3F - onsemi

उत्पादक भाग संख्या
NVHL027N65S3F
उत्पादक
onsemi
Allelco भाग संख्या
32D-NVHL027N65S3F
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-247-3
विवरण तालिका
NVHL027N65S3F.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
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मात्रा

विशेष विवरण

NVHL027N65S3F तकनीकी विनिर्देश
onsemi - NVHL027N65S3F तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और onsemi - NVHL027N65S3F के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक onsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 3mA  
वीजीएस (मैक्स) ±30V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-247-3  
शृंखला Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 27.4mOhm @ 35A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 595W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-247-3  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 7780 pF @ 400 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 227 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 650 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 75A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या NVHL027  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में onsemi NVHL027N65S3F के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता NVHL027N65S3F NVHL040N120SC1 NTB5605PT4G NVHL110N65S3F
भाग संख्या NVHL027N65S3F NVHL040N120SC1 NTB5605PT4G NVHL110N65S3F
उत्पादक onsemi onsemi onsemi onsemi
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 75A (Tc) 60A (Tc) 18.5A (Ta) 30A (Tc)
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
शृंखला Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET® Automotive, AEC-Q101 - Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET®
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 650 V 1200 V 60 V 650 V
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
FET प्रकार N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-247-3 TO-247-3 D²PAK TO-247-3
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 27.4mOhm @ 35A, 10V 56mOhm @ 35A, 20V 140mOhm @ 8.5A, 5V 110mOhm @ 15A, 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 7780 pF @ 400 V 1781 pF @ 800 V 1190 pF @ 25 V 2560 pF @ 400 V
वीजीएस (मैक्स) ±30V +25V, -15V ±20V ±30V
पैकेज / प्रकरण TO-247-3 TO-247-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-247-3
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 595W (Tc) 348W (Tc) 88W (Tc) 240W (Tc)
आधार उत्पाद संख्या NVHL027 NVHL040 NTB5605 NVHL110
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 3mA 4.3V @ 10mA 2V @ 250µA 5V @ 3mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 227 nC @ 10 V 106 nC @ 20 V 22 nC @ 5 V 58 nC @ 10 V
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 20V 5V 10V
पैकेट Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
FET फ़ीचर - - - -
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) SiCFET (Silicon Carbide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

NVHL027N65S3F डेटशीट पीडीएफ

NVHL027N65S3F - onsemi के लिए NVHL027N65S3F PDF DataSheets और onsemi प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
NVHL027N65S3F.pdf
पर्यावरण सूचना
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
Improve FAB Process 26/APR/2023.pdf Mult Dev Datasheet Chg 20/Dec/2019.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
Mold Compound Change 24/Sep/2019.pdf
पीसीएन पैकेजिंग
Packing quantity increase 25/Jun/2021.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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