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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलNVHL082N65S3F
onsemi
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NVHL082N65S3F - onsemi

उत्पादक भाग संख्या
NVHL082N65S3F
उत्पादक
onsemi
Allelco भाग संख्या
32D-NVHL082N65S3F
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 650V 40A TO247-3
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-247-3
विवरण तालिका
NVHL082N65S3F.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
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मात्रा

विशेष विवरण

NVHL082N65S3F तकनीकी विनिर्देश
onsemi - NVHL082N65S3F तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और onsemi - NVHL082N65S3F के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक onsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 4mA  
वीजीएस (मैक्स) ±30V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-247-3  
शृंखला Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 82mOhm @ 20A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 313W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-247-3  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 3410 pF @ 400 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 81 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 650 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 40A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या NVHL082  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में onsemi NVHL082N65S3F के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता NVHL082N65S3F BSS138WH6327XTSA1 NVHL110N65S3F NVHL027N65S3F
भाग संख्या NVHL082N65S3F BSS138WH6327XTSA1 NVHL110N65S3F NVHL027N65S3F
उत्पादक onsemi Infineon Technologies onsemi onsemi
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 40A (Tc) 280mA (Ta) 30A (Tc) 75A (Tc)
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
आधार उत्पाद संख्या NVHL082 BSS138 NVHL110 NVHL027
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 313W (Tc) 500mW (Ta) 240W (Tc) 595W (Tc)
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
पैकेज / प्रकरण TO-247-3 SC-70, SOT-323 TO-247-3 TO-247-3
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 4.5V, 10V 10V 10V
शृंखला Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET® SIPMOS® Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET® Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET®
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-247-3 PG-SOT323 TO-247-3 TO-247-3
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 4mA 1.4V @ 26µA 5V @ 3mA 5V @ 3mA
पैकेट Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 650 V 60 V 650 V 650 V
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 82mOhm @ 20A, 10V 3.5Ohm @ 200mA, 10V 110mOhm @ 15A, 10V 27.4mOhm @ 35A, 10V
FET फ़ीचर - - - -
वीजीएस (मैक्स) ±30V ±20V ±30V ±30V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 81 nC @ 10 V 1.5 nC @ 10 V 58 nC @ 10 V 227 nC @ 10 V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 3410 pF @ 400 V 43 pF @ 25 V 2560 pF @ 400 V 7780 pF @ 400 V

NVHL082N65S3F डेटशीट पीडीएफ

NVHL082N65S3F - onsemi के लिए NVHL082N65S3F PDF DataSheets और onsemi प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
NVHL082N65S3F.pdf
पर्यावरण सूचना
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
Improve FAB Process 26/APR/2023.pdf Mult Dev DS/Doc Chgs 1/Oct/2020.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
Mold Compound Change 24/Sep/2019.pdf
पीसीएन पैकेजिंग
Packing quantity increase 25/Jun/2021.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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