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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलNVHL110N65S3F
onsemi
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NVHL110N65S3F - onsemi

उत्पादक भाग संख्या
NVHL110N65S3F
उत्पादक
onsemi
Allelco भाग संख्या
32D-NVHL110N65S3F
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-247-3
विवरण तालिका
NVHL110N65S3F.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
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मात्रा

विशेष विवरण

NVHL110N65S3F तकनीकी विनिर्देश
onsemi - NVHL110N65S3F तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और onsemi - NVHL110N65S3F के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक onsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 3mA  
वीजीएस (मैक्स) ±30V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-247-3  
शृंखला Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 110mOhm @ 15A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 240W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-247-3  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 2560 pF @ 400 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 58 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 650 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 30A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या NVHL110  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में onsemi NVHL110N65S3F के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता NVHL110N65S3F IRF1310NSTRRPBF NVH4L080N120SC1 IRFL110TR
भाग संख्या NVHL110N65S3F IRF1310NSTRRPBF NVH4L080N120SC1 IRFL110TR
उत्पादक onsemi Infineon Technologies onsemi Vishay Siliconix
पैकेज / प्रकरण TO-247-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-247-4 TO-261-4, TO-261AA
शृंखला Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET® HEXFET® Automotive, AEC-Q101 -
पैकेट Tube Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 2560 pF @ 400 V 1900 pF @ 25 V 1670 pF @ 800 V 180 pF @ 25 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 58 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 56 nC @ 20 V 8.3 nC @ 10 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 30A (Tc) 42A (Tc) 29A (Tc) 1.5A (Tc)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 3mA 4V @ 250µA 4.3V @ 5mA 4V @ 250µA
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
वीजीएस (मैक्स) ±30V ±20V +25V, -15V ±20V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 240W (Tc) 3.8W (Ta), 160W (Tc) 170mW (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc)
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-247-3 D2PAK TO-247-4L SOT-223
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) SiCFET (Silicon Carbide) MOSFET (Metal Oxide)
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 20V 10V
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 650 V 100 V 1200 V 100 V
आधार उत्पाद संख्या NVHL110 - NVH4L080 IRFL110
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 110mOhm @ 15A, 10V 36mOhm @ 22A, 10V 110mOhm @ 20A, 20V 540mOhm @ 900mA, 10V
FET फ़ीचर - - - -

NVHL110N65S3F डेटशीट पीडीएफ

NVHL110N65S3F - onsemi के लिए NVHL110N65S3F PDF DataSheets और onsemi प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
NVHL110N65S3F.pdf
पर्यावरण सूचना
onsemi RoHS.pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
Improve FAB Process 26/APR/2023.pdf Mult Dev DS/Doc Chgs 1/Oct/2020.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
Mold Compound Change 24/Sep/2019.pdf
पीसीएन पैकेजिंग
Packing quantity increase 25/Jun/2021.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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