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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलFCP11N60N
Fairchild Semiconductor
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FCP11N60N - Fairchild Semiconductor

उत्पादक भाग संख्या
FCP11N60N
उत्पादक
Fairchild (onsemi)
Allelco भाग संख्या
32D-FCP11N60N
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-220-3
विवरण तालिका
FCP11N60N.pdf
तुलना
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मात्रा

विशेष विवरण

FCP11N60N तकनीकी विनिर्देश
Fairchild Semiconductor - FCP11N60N तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Fairchild Semiconductor - FCP11N60N के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Fairchild (onsemi)  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±30V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220-3  
शृंखला SupreMOS™  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 299mOhm @ 5.4A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 94W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-220-3  
पैकेट Bulk  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1505 pF @ 100 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 35.6 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 600 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 10.8A (Tc)  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Fairchild Semiconductor FCP11N60N के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता FCP11N60N FCP125N65S3 FCP11N60N FCP130N60
भाग संख्या FCP11N60N FCP125N65S3 FCP11N60N FCP130N60
उत्पादक Fairchild Semiconductor onsemi onsemi onsemi
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4.5V @ 2.4mA 4V @ 250µA 3.5V @ 250µA
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 94W (Tc) 181W (Tc) 94W (Tc) 278W (Tc)
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 35.6 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V 35.6 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V
पैकेट Bulk Tape & Reel (TR) Tube Tube
शृंखला SupreMOS™ SuperFET® III SupreMOS™ SuperFET® II
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1505 pF @ 100 V 1940 pF @ 400 V 1505 pF @ 100 V 3590 pF @ 380 V
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
वीजीएस (मैक्स) ±30V ±30V ±30V ±20V
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
पैकेज / प्रकरण TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
FET फ़ीचर - - - -
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 299mOhm @ 5.4A, 10V 125mOhm @ 12A, 10V 299mOhm @ 5.4A, 10V 130mOhm @ 14A, 10V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 10.8A (Tc) 24A (Tc) 10.8A (Tc) 28A (Tc)
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 600 V 650 V 600 V 600 V

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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