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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलFCP104N60F
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FCP104N60F Image - 1
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FCP104N60F - onsemi

उत्पादक भाग संख्या
FCP104N60F
उत्पादक
onsemi
Allelco भाग संख्या
32D-FCP104N60F
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-220-3
विवरण तालिका
FCP104N60F.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
स्टॉक में: 12702

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मात्रा

विशेष विवरण

FCP104N60F तकनीकी विनिर्देश
onsemi - FCP104N60F तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और onsemi - FCP104N60F के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक onsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220-3  
शृंखला HiPerFET™, Polar™  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 104mOhm @ 18.5A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 357W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-220-3  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 6130 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 145 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 600 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 37A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या FCP104  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में onsemi FCP104N60F के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता FCP104N60F FCP104N60 FCP104N60 FCP067N65S3
भाग संख्या FCP104N60F FCP104N60 FCP104N60 FCP067N65S3
उत्पादक onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
आधार उत्पाद संख्या FCP104 - FCP104 FCP067
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 250µA 3.5V @ 250µA 3.5V @ 250µA 4.5V @ 4.4mA
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 6130 pF @ 25 V 4165 pF @ 380 V 4165 pF @ 380 V 3090 pF @ 400 V
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±30V
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 600 V 600 V 600 V 650 V
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 145 nC @ 10 V 82 nC @ 10 V 82 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V
FET फ़ीचर - - - -
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 104mOhm @ 18.5A, 10V 104mOhm @ 18.5A, 10V 104mOhm @ 18.5A, 10V 67mOhm @ 22A, 10V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 37A (Tc) 37A (Tc) 37A (Tc) 44A (Tc)
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
पैकेज / प्रकरण TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 357W (Tc) 357W (Tc) 357W (Tc) 312W (Tc)
शृंखला HiPerFET™, Polar™ SuperFET® II SuperFET® II SuperFET® III
पैकेट Tube Bulk Tube Tube

FCP104N60F डेटशीट पीडीएफ

FCP104N60F - onsemi के लिए FCP104N60F PDF DataSheets और onsemi प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
FCP104N60F.pdf
पर्यावरण सूचना
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
Logo 17/Aug/2017.pdf
पीसीएन पैकेजिंग
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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