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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलFCP067N65S3
FCP067N65S3 Image
FCP067N65S3 Image - 1
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FCP067N65S3 - onsemi

उत्पादक भाग संख्या
FCP067N65S3
उत्पादक
onsemi
Allelco भाग संख्या
32D-FCP067N65S3
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 650V 44A TO220
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-220-3
विवरण तालिका
FCP067N65S3 Datasheet.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
स्टॉक में: 7991

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मात्रा

विशेष विवरण

FCP067N65S3 तकनीकी विनिर्देश
onsemi - FCP067N65S3 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और onsemi - FCP067N65S3 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक onsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4.5V @ 4.4mA  
वीजीएस (मैक्स) ±30V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220  
शृंखला SuperFET® III  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 67mOhm @ 22A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 312W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-220-3  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 3090 pF @ 400 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 78 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 650 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 44A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या FCP067  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में onsemi FCP067N65S3 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता FCP067N65S3 FCP104N60 FCP099N65S3 FCP104N60F
भाग संख्या FCP067N65S3 FCP104N60 FCP099N65S3 FCP104N60F
उत्पादक onsemi onsemi onsemi onsemi
पैकेट Tube Tube Tube Tube
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 312W (Tc) 357W (Tc) 227W (Tc) 357W (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4.5V @ 4.4mA 3.5V @ 250µA 4.5V @ 3mA 5V @ 250µA
आधार उत्पाद संख्या FCP067 FCP104 FCP099 FCP104
वीजीएस (मैक्स) ±30V ±20V ±30V ±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 3090 pF @ 400 V 4165 pF @ 380 V 2480 pF @ 400 V 6130 pF @ 25 V
FET फ़ीचर - - - -
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 650 V 600 V 650 V 600 V
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 67mOhm @ 22A, 10V 104mOhm @ 18.5A, 10V 99mOhm @ 15A, 10V 104mOhm @ 18.5A, 10V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 78 nC @ 10 V 82 nC @ 10 V 61 nC @ 10 V 145 nC @ 10 V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
पैकेज / प्रकरण TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
शृंखला SuperFET® III SuperFET® II SuperFET® III HiPerFET™, Polar™
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 44A (Tc) 37A (Tc) 30A (Tc) 37A (Tc)
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

FCP067N65S3 डेटशीट पीडीएफ

FCP067N65S3 - onsemi के लिए FCP067N65S3 PDF DataSheets और onsemi प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
FCP067N65S3 Datasheet.pdf
पर्यावरण सूचना
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
पीसीएन पैकेजिंग
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
SuperFet Datasheet Chg 30/Jul/2019.pdf FCB0 19/Jul/2016.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
Assembly Change 09/May/2023.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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