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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलFCP099N60E
Fairchild Semiconductor
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FCP099N60E - Fairchild Semiconductor

उत्पादक भाग संख्या
FCP099N60E
उत्पादक
Fairchild (onsemi)
Allelco भाग संख्या
32D-FCP099N60E
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-220-3
विवरण तालिका
FCP099N60E.pdf
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मात्रा

विशेष विवरण

FCP099N60E तकनीकी विनिर्देश
Fairchild Semiconductor - FCP099N60E तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Fairchild Semiconductor - FCP099N60E के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Fairchild (onsemi)  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 3.5V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220-3  
शृंखला SuperFET® II  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 99mOhm @ 18.5A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 357W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-220-3  
पैकेट Bulk  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 3465 pF @ 380 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 114 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 600 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 37A (Tc)  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Fairchild Semiconductor FCP099N60E के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता FCP099N60E FCP11N60 FCP104N60F FCP11N60
भाग संख्या FCP099N60E FCP11N60 FCP104N60F FCP11N60
उत्पादक Fairchild Semiconductor onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±30V ±20V ±30V
पैकेज / प्रकरण TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 99mOhm @ 18.5A, 10V 380mOhm @ 5.5A, 10V 104mOhm @ 18.5A, 10V 380mOhm @ 5.5A, 10V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 114 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V 145 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 37A (Tc) 11A (Tc) 37A (Tc) 11A (Tc)
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
FET फ़ीचर - - - -
शृंखला SuperFET® II SuperFET™ HiPerFET™, Polar™ SuperFET™
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 3465 pF @ 380 V 1490 pF @ 25 V 6130 pF @ 25 V 1490 pF @ 25 V
पैकेट Bulk Tube Tube Bulk
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 3.5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 357W (Tc) 125W (Tc) 357W (Tc) 125W (Tc)

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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