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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलFCP110N65F
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FCP110N65F Image - 1
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FCP110N65F - onsemi

उत्पादक भाग संख्या
FCP110N65F
उत्पादक
onsemi
Allelco भाग संख्या
32D-FCP110N65F
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 650V 35A TO220-3
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-220-3
विवरण तालिका
FCP110N65F.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
स्टॉक में: 12083

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मात्रा

विशेष विवरण

FCP110N65F तकनीकी विनिर्देश
onsemi - FCP110N65F तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और onsemi - FCP110N65F के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक onsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 3.5mA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220-3  
शृंखला FRFET®, SuperFET® II  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 110mOhm @ 17.5A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 357W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-220-3  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 4895 pF @ 100 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 145 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 650 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 35A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या FCP110  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में onsemi FCP110N65F के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता FCP110N65F FCP11N60F FCP099N60E FCP104N60
भाग संख्या FCP110N65F FCP11N60F FCP099N60E FCP104N60
उत्पादक onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
पैकेट Tube Tube Tube Bulk
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 4895 pF @ 100 V 1490 pF @ 25 V 3465 pF @ 380 V 4165 pF @ 380 V
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
आधार उत्पाद संख्या FCP110 FCP11 FCP099 -
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±30V ±20V ±20V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 357W (Tc) 125W (Tc) 357W (Tc) 357W (Tc)
पैकेज / प्रकरण TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 35A (Tc) 11A (Tc) 37A (Tc) 37A (Tc)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 145 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V 114 nC @ 10 V 82 nC @ 10 V
FET फ़ीचर - - - -
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 110mOhm @ 17.5A, 10V 380mOhm @ 5.5A, 10V 99mOhm @ 18.5A, 10V 104mOhm @ 18.5A, 10V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 3.5mA 5V @ 250µA 3.5V @ 250µA 3.5V @ 250µA
शृंखला FRFET®, SuperFET® II SuperFET™ SuperFET® II SuperFET® II
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 650 V 600 V 600 V 600 V

FCP110N65F डेटशीट पीडीएफ

FCP110N65F - onsemi के लिए FCP110N65F PDF DataSheets और onsemi प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
FCP110N65F.pdf
पर्यावरण सूचना
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
Logo 17/Aug/2017.pdf
पीसीएन पैकेजिंग
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
Mult Dev Assembly/Mat Chg 16/Jan/2020.pdf

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  2. अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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