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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलHUF75332S3ST
Fairchild Semiconductor
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HUF75332S3ST - Fairchild Semiconductor

उत्पादक भाग संख्या
HUF75332S3ST
उत्पादक
Fairchild (onsemi)
Allelco भाग संख्या
32D-HUF75332S3ST
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 55V 52A D2PAK
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
विवरण तालिका
HUF75332S3ST.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
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विशेष विवरण

HUF75332S3ST तकनीकी विनिर्देश
Fairchild Semiconductor - HUF75332S3ST तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Fairchild Semiconductor - HUF75332S3ST के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Fairchild (onsemi)  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज D2PAK (TO-263)  
शृंखला UltraFET™  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 19mOhm @ 52A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 110W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
पैकेट Bulk  
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1300 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 85 nC @ 20 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 55 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 52A (Tc)  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Fairchild Semiconductor HUF75332S3ST के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता HUF75332S3ST HUF75332P3 HUF75332P3 HUF75337P3
भाग संख्या HUF75332S3ST HUF75332P3 HUF75332P3 HUF75337P3
उत्पादक Fairchild Semiconductor onsemi Harris Corporation onsemi
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
पैकेट Bulk Tube Tube Tube
प्रदायक डिवाइस पैकेज D2PAK (TO-263) TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Through Hole Through Hole Through Hole
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 110W (Tc) 145W (Tc) 145W (Tc) 175W (Tc)
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 19mOhm @ 52A, 10V 19mOhm @ 60A, 10V 19mOhm @ 60A, 10V 14mOhm @ 75A, 10V
FET फ़ीचर - - - -
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1300 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V 1775 pF @ 25 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 85 nC @ 20 V 85 nC @ 20 V 85 nC @ 20 V 109 nC @ 20 V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 55 V 55 V 55 V 55 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 52A (Tc) 60A (Tc) 60A (Tc) 75A (Tc)
शृंखला UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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