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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलHUF75333P3
Fairchild Semiconductor
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HUF75333P3 - Fairchild Semiconductor

उत्पादक भाग संख्या
HUF75333P3
उत्पादक
Fairchild (onsemi)
Allelco भाग संख्या
32D-HUF75333P3
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 55V 66A TO220-3
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-220-3
विवरण तालिका
HUF75333P3.pdf
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स्टॉक में: 50000

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मात्रा

विशेष विवरण

HUF75333P3 तकनीकी विनिर्देश
Fairchild Semiconductor - HUF75333P3 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Fairchild Semiconductor - HUF75333P3 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Fairchild (onsemi)  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220-3  
शृंखला UltraFET™  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 16mOhm @ 66A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 150W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-220-3  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1300 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 85 nC @ 20 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 55 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 66A (Tc)  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Fairchild Semiconductor HUF75333P3 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता HUF75333P3 HUF75332S3ST HUF75333P3 HUF75333S3ST
भाग संख्या HUF75333P3 HUF75332S3ST HUF75333P3 HUF75333S3ST
उत्पादक Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 55 V 55 V 55 V 55 V
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
पैकेज / प्रकरण TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1300 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 85 nC @ 20 V 85 nC @ 20 V 85 nC @ 20 V 85 nC @ 20 V
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220-3 D2PAK (TO-263) TO-220-3 D²PAK (TO-263)
FET फ़ीचर - - - -
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V - 10V 10V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 66A (Tc) 52A (Tc) 66A (Tc) 66A (Tc)
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
शृंखला UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 16mOhm @ 66A, 10V 19mOhm @ 52A, 10V 16mOhm @ 66A, 10V 16mOhm @ 66A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 150W (Tc) 110W (Tc) 150W (Tc) 150W (Tc)
पैकेट Tube Bulk Tube Tape & Reel (TR)

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  2. अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
टिप्पणी:
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