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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलHUF75333P3
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HUF75333P3 - Harris Corporation

उत्पादक भाग संख्या
HUF75333P3
उत्पादक
Harris Corporation
Allelco भाग संख्या
32D-HUF75333P3
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 55V 66A TO220-3
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-220-3
विवरण तालिका
HUF75333P3.pdf
तुलना
स्टॉक में: 57890

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मात्रा

विशेष विवरण

HUF75333P3 तकनीकी विनिर्देश
Harris Corporation - HUF75333P3 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Harris Corporation - HUF75333P3 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Harris Corporation  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220-3  
शृंखला UltraFET™  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 16mOhm @ 66A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 150W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-220-3  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
पैकेट Tube  
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1300 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 85 nC @ 20 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 55 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 66A (Tc)  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Harris Corporation HUF75333P3 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता HUF75333P3 HUF75332S3S HUF75333S3ST HUF75337P3
भाग संख्या HUF75333P3 HUF75332S3S HUF75333S3ST HUF75337P3
उत्पादक Harris Corporation Harris Corporation Harris Corporation Harris Corporation
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
पैकेज / प्रकरण TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220-3 D2PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) TO-220-3
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 66A (Tc) 52A (Tc) 66A (Tc) 75A (Tc)
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 16mOhm @ 66A, 10V 19mOhm @ 52A, 10V 16mOhm @ 66A, 10V 14mOhm @ 75A, 10V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 85 nC @ 20 V 85 nC @ 20 V 85 nC @ 20 V 109 nC @ 20 V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
पैकेट Tube Bulk Bulk Tube
FET फ़ीचर - - - -
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 150W (Tc) 110W (Tc) 150W (Tc) 175W (Tc)
शृंखला UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 55 V 55 V 55 V 55 V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1300 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V 1775 pF @ 25 V

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
टिप्पणी:
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