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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIXTQ86N25T
IXYS
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IXTQ86N25T - IXYS

उत्पादक भाग संख्या
IXTQ86N25T
उत्पादक
IXYS Corporation
Allelco भाग संख्या
32D-IXTQ86N25T
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 250V 86A TO3P
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-3P-3, SC-65-3
विवरण तालिका
IXTQ86N25T.pdf
RoHs स्थिति
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मात्रा

विशेष विवरण

IXTQ86N25T तकनीकी विनिर्देश
IXYS - IXTQ86N25T तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और IXYS - IXTQ86N25T के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक IXYS Corporation  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 1mA  
वीजीएस (मैक्स) ±30V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-3P  
शृंखला Trench  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 37mOhm @ 43A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 540W (Ta)  
पैकेज / प्रकरण TO-3P-3, SC-65-3  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 5330 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 105 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 250 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 86A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या IXTQ86  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में IXYS IXTQ86N25T के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IXTQ86N25T IXTQ88N30P IXTQ75N10P IXTQ96N25T
भाग संख्या IXTQ86N25T IXTQ88N30P IXTQ75N10P IXTQ96N25T
उत्पादक IXYS IXYS IXYS IXYS
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 86A (Tc) 88A (Tc) 75A (Tc) 96A (Tc)
शृंखला Trench Polar Polar Trench
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 37mOhm @ 43A, 10V 40mOhm @ 44A, 10V 25mOhm @ 500mA, 10V 29mOhm @ 500mA, 10V
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
पैकेज / प्रकरण TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 250 V 300 V 100 V 250 V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 5330 pF @ 25 V 6300 pF @ 25 V 2250 pF @ 25 V 6100 pF @ 25 V
आधार उत्पाद संख्या IXTQ86 IXTQ88 IXTQ75 IXTQ96
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 105 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 74 nC @ 10 V 114 nC @ 10 V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
पैकेट Tube Tube Tube Tube
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 540W (Ta) 600W (Tc) 360W (Tc) 625W (Tc)
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-3P TO-3P TO-3P TO-3P
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET फ़ीचर - - - -
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 1mA 5V @ 250µA 5.5V @ 250µA 5V @ 1mA
वीजीएस (मैक्स) ±30V ±20V ±20V ±30V

IXTQ86N25T डेटशीट पीडीएफ

IXTQ86N25T - IXYS के लिए IXTQ86N25T PDF DataSheets और IXYS प्रलेखन डाउनलोड करें।

पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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