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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIXTQ96N25T
IXYS
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IXTQ96N25T - IXYS

उत्पादक भाग संख्या
IXTQ96N25T
उत्पादक
IXYS Corporation
Allelco भाग संख्या
32D-IXTQ96N25T
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 250V 96A TO3P
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-3P-3, SC-65-3
विवरण तालिका
IXT(H,Q,V)96N25T.pdf
RoHs स्थिति
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मात्रा

विशेष विवरण

IXTQ96N25T तकनीकी विनिर्देश
IXYS - IXTQ96N25T तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और IXYS - IXTQ96N25T के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक IXYS Corporation  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 1mA  
वीजीएस (मैक्स) ±30V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-3P  
शृंखला Trench  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 29mOhm @ 500mA, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 625W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-3P-3, SC-65-3  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 6100 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 114 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 250 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 96A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या IXTQ96  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में IXYS IXTQ96N25T के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IXTQ96N25T IXTU05N100 IXTQ96N20P IXTU01N100D
भाग संख्या IXTQ96N25T IXTU05N100 IXTQ96N20P IXTU01N100D
उत्पादक IXYS IXYS IXYS IXYS
FET फ़ीचर - - - Depletion Mode
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 29mOhm @ 500mA, 10V 17Ohm @ 375mA, 10V 24mOhm @ 500mA, 10V 80Ohm @ 50mA, 0V
पैकेट Tube Tube Tube Tube
वीजीएस (मैक्स) ±30V ±30V ±20V ±20V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 250 V 1000 V 200 V 1000 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 96A (Tc) 750mA (Tc) 96A (Tc) 400mA (Tc)
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 6100 pF @ 25 V 260 pF @ 25 V 4800 pF @ 25 V 100 pF @ 25 V
आधार उत्पाद संख्या IXTQ96 IXTU05 IXTQ96 IXTU01
पैकेज / प्रकरण TO-3P-3, SC-65-3 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-3P-3, SC-65-3 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 1mA 4.5V @ 250µA 5V @ 250µA 4.5V @ 25µA
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
शृंखला Trench - Polar Depletion
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 625W (Tc) 40W (Tc) 600W (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 114 nC @ 10 V 7.8 nC @ 10 V 145 nC @ 10 V 5.8 nC @ 5 V
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-3P TO-251AA TO-3P TO-251AA
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 0V

IXTQ96N25T डेटशीट पीडीएफ

IXTQ96N25T - IXYS के लिए IXTQ96N25T PDF DataSheets और IXYS प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
IXT(H,Q,V)96N25T.pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
Multiple Devices Material 23/Jun/2020.pdf

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क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
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यूरोप जर्मनी 5
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इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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