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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIXTU05N100
IXYS
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IXTU05N100 - IXYS

उत्पादक भाग संख्या
IXTU05N100
उत्पादक
IXYS Corporation
Allelco भाग संख्या
32D-IXTU05N100
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 1000V 750MA TO251
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
विवरण तालिका
IXT(U,Y)05N100.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
स्टॉक में: 4550

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मात्रा

विशेष विवरण

IXTU05N100 तकनीकी विनिर्देश
IXYS - IXTU05N100 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और IXYS - IXTU05N100 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक IXYS Corporation  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4.5V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±30V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-251AA  
शृंखला -  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 17Ohm @ 375mA, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 40W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 260 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 7.8 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 1000 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 750mA (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या IXTU05  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में IXYS IXTU05N100 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IXTU05N100 IXTT90P10P IXTV18N60PS IXTX46N50L
भाग संख्या IXTU05N100 IXTT90P10P IXTV18N60PS IXTX46N50L
उत्पादक IXYS IXYS IXYS IXYS
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 17Ohm @ 375mA, 10V 25mOhm @ 45A, 10V 420mOhm @ 9A, 10V 160mOhm @ 500mA, 20V
FET फ़ीचर - - - -
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 260 pF @ 25 V 5800 pF @ 25 V 2500 pF @ 25 V 7000 pF @ 25 V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 40W (Tc) 462W (Tc) 360W (Tc) 700W (Tc)
पैकेट Tube Tube Tube Tube
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 7.8 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 49 nC @ 10 V 260 nC @ 15 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 750mA (Tc) 90A (Tc) 18A (Tc) 46A (Tc)
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-251AA TO-268AA PLUS-220SMD PLUS247™-3
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 1000 V 100 V 600 V 500 V
शृंखला - PolarP™ PolarHV™ Linear
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 5.5V @ 250µA 6V @ 250µA
आधार उत्पाद संख्या IXTU05 IXTT90 IXTV18 IXTX46
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 20V
वीजीएस (मैक्स) ±30V ±20V ±30V ±30V
पैकेज / प्रकरण TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA PLUS-220SMD TO-247-3 Variant
FET प्रकार N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel

IXTU05N100 डेटशीट पीडीएफ

IXTU05N100 - IXYS के लिए IXTU05N100 PDF DataSheets और IXYS प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
IXT(U,Y)05N100.pdf

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क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
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यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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