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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIXTU01N100
IXYS
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IXTU01N100 - IXYS

उत्पादक भाग संख्या
IXTU01N100
उत्पादक
IXYS Corporation
Allelco भाग संख्या
32D-IXTU01N100
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 1000V 100MA TO251
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
विवरण तालिका
IXT(U,Y)01N100.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
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मात्रा

विशेष विवरण

IXTU01N100 तकनीकी विनिर्देश
IXYS - IXTU01N100 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और IXYS - IXTU01N100 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक IXYS Corporation  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4.5V @ 25µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-251AA  
शृंखला -  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 80Ohm @ 100mA, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 25W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 54 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 6.9 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 1000 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 100mA (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या IXTU01  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में IXYS IXTU01N100 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IXTU01N100 IXTX46N50L IXTX5N250 IXTX120N65X2
भाग संख्या IXTU01N100 IXTX46N50L IXTX5N250 IXTX120N65X2
उत्पादक IXYS IXYS IXYS IXYS
शृंखला - Linear - Ultra X2
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 54 pF @ 25 V 7000 pF @ 25 V 8560 pF @ 25 V 13600 pF @ 25 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 100mA (Tc) 46A (Tc) 5A (Tc) 120A (Tc)
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
आधार उत्पाद संख्या IXTU01 IXTX46 IXTX5 IXTX120
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 20V 10V 10V
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-251AA PLUS247™-3 PLUS247™-3 PLUS247™-3
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4.5V @ 25µA 6V @ 250µA 5V @ 1mA 4.5V @ 8mA
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 1000 V 500 V 2500 V 650 V
पैकेज / प्रकरण TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±30V ±30V ±30V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 6.9 nC @ 10 V 260 nC @ 15 V 200 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 25W (Tc) 700W (Tc) 960W (Tc) 1250W (Tc)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 80Ohm @ 100mA, 10V 160mOhm @ 500mA, 20V 8.8Ohm @ 2.5A, 10V 24mOhm @ 60A, 10V
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
पैकेट Tube Tube Tube Tube
FET फ़ीचर - - - -

IXTU01N100 डेटशीट पीडीएफ

IXTU01N100 - IXYS के लिए IXTU01N100 PDF DataSheets और IXYS प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
IXT(U,Y)01N100.pdf

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क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
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यूरोप जर्मनी 5
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इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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