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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIXTU12N06T
IXYS
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IXTU12N06T - IXYS

उत्पादक भाग संख्या
IXTU12N06T
उत्पादक
IXYS Corporation
Allelco भाग संख्या
32D-IXTU12N06T
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 60V 12A TO251
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
विवरण तालिका
IXT(U,Y)12N06T.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
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मात्रा

विशेष विवरण

IXTU12N06T तकनीकी विनिर्देश
IXYS - IXTU12N06T तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और IXYS - IXTU12N06T के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक IXYS Corporation  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 25µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-251AA  
शृंखला Trench  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 85mOhm @ 6A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 33W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 256 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 3.4 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 60 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 12A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या IXTU12  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में IXYS IXTU12N06T के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IXTU12N06T IXTT110N10L2 IXTX120N65X2 IXTT02N450HV
भाग संख्या IXTU12N06T IXTT110N10L2 IXTX120N65X2 IXTT02N450HV
उत्पादक IXYS IXYS IXYS IXYS
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 3.4 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 10.4 nC @ 10 V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 256 pF @ 25 V 10500 pF @ 25 V 13600 pF @ 25 V 256 pF @ 25 V
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 12A (Tc) 110A (Tc) 120A (Tc) 200mA (Tc)
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±30V ±20V
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 85mOhm @ 6A, 10V 18mOhm @ 55A, 10V 24mOhm @ 60A, 10V 750Ohm @ 10mA, 10V
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 33W (Tc) 600W (Tc) 1250W (Tc) 113W (Tc)
शृंखला Trench Linear L2™ Ultra X2 -
आधार उत्पाद संख्या IXTU12 IXTT110 IXTX120 IXTT02
पैकेज / प्रकरण TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-247-3 Variant TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-251AA TO-268AA PLUS247™-3 TO-268AA
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 60 V 100 V 650 V 4500 V
पैकेट Tube Tube Tube Tube
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 25µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 8mA 6.5V @ 250µA
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
FET फ़ीचर - - - -

IXTU12N06T डेटशीट पीडीएफ

IXTU12N06T - IXYS के लिए IXTU12N06T PDF DataSheets और IXYS प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
IXT(U,Y)12N06T.pdf

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क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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