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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIXTQ96N15P
IXYS
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IXTQ96N15P - IXYS

उत्पादक भाग संख्या
IXTQ96N15P
उत्पादक
IXYS Corporation
Allelco भाग संख्या
32D-IXTQ96N15P
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 150V 96A TO3P
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-3P-3, SC-65-3
विवरण तालिका
IXT(Q,T)96N15P.pdf
RoHs स्थिति
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विशेष विवरण

IXTQ96N15P तकनीकी विनिर्देश
IXYS - IXTQ96N15P तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और IXYS - IXTQ96N15P के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक IXYS Corporation  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-3P  
शृंखला Polar  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 24mOhm @ 500mA, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 480W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-3P-3, SC-65-3  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 3500 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 110 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 150 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 96A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या IXTQ96  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में IXYS IXTQ96N15P के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IXTQ96N15P IXTQ80N28T IXTT12N150HV IXTQ96N25T
भाग संख्या IXTQ96N15P IXTQ80N28T IXTT12N150HV IXTQ96N25T
उत्पादक IXYS IXYS IXYS IXYS
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 110 nC @ 10 V 115 nC @ 10 V 106 nC @ 10 V 114 nC @ 10 V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 3500 pF @ 25 V 5000 pF @ 25 V 3720 pF @ 25 V 6100 pF @ 25 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 96A (Tc) 80A (Tc) 12A (Tc) 96A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
आधार उत्पाद संख्या IXTQ96 IXTQ80 IXTT12 IXTQ96
पैकेट Tube Tube Tube Tube
पैकेज / प्रकरण TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-3P-3, SC-65-3
शृंखला Polar - - Trench
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-3P TO-3P TO-268AA TO-3P
FET फ़ीचर - - - -
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 480W (Tc) 500W (Tc) 890W (Tc) 625W (Tc)
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±30V ±30V ±30V
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 250µA 5V @ 1mA 4.5V @ 250µA 5V @ 1mA
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 24mOhm @ 500mA, 10V 49mOhm @ 500mA, 10V - 29mOhm @ 500mA, 10V
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 150 V 280 V 1500 V 250 V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IXTQ96N15P डेटशीट पीडीएफ

IXTQ96N15P - IXYS के लिए IXTQ96N15P PDF DataSheets और IXYS प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
IXT(Q,T)96N15P.pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
Multiple Devices Material 23/Jun/2020.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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