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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलSTB23N80K5
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STB23N80K5 - STMicroelectronics

उत्पादक भाग संख्या
STB23N80K5
उत्पादक
STMicroelectronics
Allelco भाग संख्या
32D-STB23N80K5
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 800V 16A D2PAK
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
विवरण तालिका
STB23N80K5.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
स्टॉक में: 13962

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मात्रा

विशेष विवरण

STB23N80K5 तकनीकी विनिर्देश
STMicroelectronics - STB23N80K5 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और STMicroelectronics - STB23N80K5 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक STMicroelectronics  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 100µA  
वीजीएस (मैक्स) ±30V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज D²PAK (TO-263)  
शृंखला MDmesh™ K5  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 280mOhm @ 8A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 190W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1000 pF @ 100 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 33 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 800 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 16A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या STB23  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में STMicroelectronics STB23N80K5 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता STB23N80K5 STB22N60DM6 STB21NM60ND STB23NM50N
भाग संख्या STB23N80K5 STB22N60DM6 STB21NM60ND STB23NM50N
उत्पादक STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 100µA 4.75V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 16A (Tc) 15A (Tc) 17A (Tc) 17A (Tc)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 280mOhm @ 8A, 10V 240mOhm @ 7.5A, 10V 220mOhm @ 8.5A, 10V 190mOhm @ 8.5A, 10V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
शृंखला MDmesh™ K5 MDmesh™ M6 FDmesh™ II MDmesh™ II
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 33 nC @ 10 V 20.6 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1000 pF @ 100 V 800 pF @ 100 V 1800 pF @ 50 V 1330 pF @ 50 V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 190W (Tc) 130W (Tc) 140W (Tc) 125W (Tc)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 800 V 600 V 600 V 500 V
आधार उत्पाद संख्या STB23 STB22 STB21N STB23
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
FET फ़ीचर - - - -
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
वीजीएस (मैक्स) ±30V ±25V ±25V ±25V
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
प्रदायक डिवाइस पैकेज D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D2PAK D²PAK (TO-263)

STB23N80K5 डेटशीट पीडीएफ

STB23N80K5 - STMicroelectronics के लिए STB23N80K5 PDF DataSheets और STMicroelectronics प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
STB23N80K5.pdf
पीसीएन पैकेजिंग
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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