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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलSTB24N60DM2
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STB24N60DM2 - STMicroelectronics

उत्पादक भाग संख्या
STB24N60DM2
उत्पादक
STMicroelectronics
Allelco भाग संख्या
32D-STB24N60DM2
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
विवरण तालिका
STx24N60DM2.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
स्टॉक में: 22491

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मात्रा

विशेष विवरण

STB24N60DM2 तकनीकी विनिर्देश
STMicroelectronics - STB24N60DM2 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और STMicroelectronics - STB24N60DM2 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक STMicroelectronics  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±25V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज D²PAK (TO-263)  
शृंखला FDmesh™ II Plus  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 200mOhm @ 9A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 150W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1055 pF @ 100 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 29 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 600 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 18A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या STB24  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में STMicroelectronics STB24N60DM2 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता STB24N60DM2 STB22NS25ZT4 STB24NM60N STB23NM60ND
भाग संख्या STB24N60DM2 STB22NS25ZT4 STB24NM60N STB23NM60ND
उत्पादक STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 29 nC @ 10 V 151 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 600 V 250 V 600 V 600 V
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
वीजीएस (मैक्स) ±25V ±20V ±30V ±25V
FET फ़ीचर - - - -
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 200mOhm @ 9A, 10V 150mOhm @ 11A, 10V 190mOhm @ 8A, 10V 180mOhm @ 10A, 10V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज D²PAK (TO-263) D2PAK D²PAK (TO-263) D2PAK
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 18A (Tc) 22A (Tc) 17A (Tc) 19.5A (Tc)
शृंखला FDmesh™ II Plus MESH OVERLAY™ MDmesh™ II FDmesh™ II
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 150W (Tc) 135W (Tc) 125W (Tc) 150W (Tc)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1055 pF @ 100 V 2400 pF @ 25 V 1400 pF @ 50 V 2050 pF @ 50 V
आधार उत्पाद संख्या STB24 STB22N STB24 STB23N

STB24N60DM2 डेटशीट पीडीएफ

STB24N60DM2 - STMicroelectronics के लिए STB24N60DM2 PDF DataSheets और STMicroelectronics प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
STx24N60DM2.pdf
पीसीएन पैकेजिंग
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
Wafer 15/Feb/2019.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
टिप्पणी:
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STB24N60DM2

STMicroelectronics
32D-STB24N60DM2

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