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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलSTB23NM50N
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STB23NM50N - STMicroelectronics

उत्पादक भाग संख्या
STB23NM50N
उत्पादक
STMicroelectronics
Allelco भाग संख्या
32D-STB23NM50N
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
विवरण तालिका
STx23NM50N.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
स्टॉक में: 10737

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मात्रा

विशेष विवरण

STB23NM50N तकनीकी विनिर्देश
STMicroelectronics - STB23NM50N तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और STMicroelectronics - STB23NM50N के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक STMicroelectronics  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±25V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज D²PAK (TO-263)  
शृंखला MDmesh™ II  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 190mOhm @ 8.5A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 125W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1330 pF @ 50 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 45 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 500 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 17A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या STB23  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में STMicroelectronics STB23NM50N के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता STB23NM50N STB23NM60N STB23N80K5 STB24NM60N
भाग संख्या STB23NM50N STB23NM60N STB23N80K5 STB24NM60N
उत्पादक STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 190mOhm @ 8.5A, 10V 180mOhm @ 9.5A, 10V 280mOhm @ 8A, 10V 190mOhm @ 8A, 10V
परिचालन तापमान 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
वीजीएस (मैक्स) ±25V ±25V ±30V ±30V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1330 pF @ 50 V 2050 pF @ 50 V 1000 pF @ 100 V 1400 pF @ 50 V
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
आधार उत्पाद संख्या STB23 STB23N STB23 STB24
FET फ़ीचर - - - -
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
शृंखला MDmesh™ II MDmesh™ II MDmesh™ K5 MDmesh™ II
प्रदायक डिवाइस पैकेज D²PAK (TO-263) D2PAK D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 45 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 33 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 125W (Tc) 150W (Tc) 190W (Tc) 125W (Tc)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 17A (Tc) 19A (Tc) 16A (Tc) 17A (Tc)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 500 V 600 V 800 V 600 V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 100µA 4V @ 250µA

STB23NM50N डेटशीट पीडीएफ

STB23NM50N - STMicroelectronics के लिए STB23NM50N PDF DataSheets और STMicroelectronics प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
STx23NM50N.pdf
पीसीएन पैकेजिंग
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013.pdf IPG-PWR/14/8422 11/Apr/2014.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
IPG-PWR/14/8603 21/Jul/2014.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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