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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलSTB55NF03LT4
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STB55NF03LT4 - STMicroelectronics

उत्पादक भाग संख्या
STB55NF03LT4
उत्पादक
STMicroelectronics
Allelco भाग संख्या
32D-STB55NF03LT4
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 30V 55A D2PAK
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
विवरण तालिका
STB55NF03LT4.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
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मात्रा

विशेष विवरण

STB55NF03LT4 तकनीकी विनिर्देश
STMicroelectronics - STB55NF03LT4 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और STMicroelectronics - STB55NF03LT4 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक STMicroelectronics  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 1V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±16V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज D²PAK  
शृंखला STripFET™ II  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 13mOhm @ 27.5A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 80W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1265 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 27 nC @ 4.5 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 4.5V, 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 30 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 55A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या STB55N  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में STMicroelectronics STB55NF03LT4 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता STB55NF03LT4 STB55NF06T4 STB50N65DM6 STB55NF06LT4
भाग संख्या STB55NF03LT4 STB55NF06T4 STB50N65DM6 STB55NF06LT4
उत्पादक STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 13mOhm @ 27.5A, 10V 18mOhm @ 27.5A, 10V 91mOhm @ 16.5A, 10V 18mOhm @ 27.5A, 10V
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
परिचालन तापमान 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 4.5V, 10V 10V 10V 10V, 5V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 55A (Tc) 50A (Tc) 33A (Tc) 55A (Tc)
वीजीएस (मैक्स) ±16V ±20V ±25V ±16V
शृंखला STripFET™ II STripFET™ II MDmesh™ DM6 STripFET™ II
FET फ़ीचर - - - -
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 27 nC @ 4.5 V 60 nC @ 10 V 52.5 nC @ 10 V 37 nC @ 4.5 V
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
प्रदायक डिवाइस पैकेज D²PAK D2PAK D²PAK (TO-263) D2PAK
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1265 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V 2300 pF @ 100 V 1700 pF @ 25 V
आधार उत्पाद संख्या STB55N STB55 STB50 STB55
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 30 V 60 V 650 V 60 V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 1V @ 250µA 4V @ 250µA 4.75V @ 250µA 4.7V @ 250µA
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 80W (Tc) 110W (Tc) 250W (Tc) 95W (Tc)

STB55NF03LT4 डेटशीट पीडीएफ

STB55NF03LT4 - STMicroelectronics के लिए STB55NF03LT4 PDF DataSheets और STMicroelectronics प्रलेखन डाउनलोड करें।

पीसीएन पैकेजिंग
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013.pdf IPG-PWR/14/8422 11/Apr/2014.pdf
पीसीएन अप्रचलन/ ईओएल
Mult Dev OBS 2/Apr/2020.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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