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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलSTB55NF06T4
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STB55NF06T4 - STMicroelectronics

उत्पादक भाग संख्या
STB55NF06T4
उत्पादक
STMicroelectronics
Allelco भाग संख्या
32D-STB55NF06T4
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
विवरण तालिका
STx55NF06(-1,FP).pdf
RoHs स्थिति
तुलना
स्टॉक में: 23630

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मात्रा

विशेष विवरण

STB55NF06T4 तकनीकी विनिर्देश
STMicroelectronics - STB55NF06T4 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और STMicroelectronics - STB55NF06T4 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक STMicroelectronics  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज D2PAK  
शृंखला STripFET™ II  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 18mOhm @ 27.5A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 110W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1300 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 60 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 60 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 50A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या STB55  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में STMicroelectronics STB55NF06T4 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता STB55NF06T4 STB5N52K3 STB55NF03LT4 STB55NF06LT4
भाग संख्या STB55NF06T4 STB5N52K3 STB55NF03LT4 STB55NF06LT4
उत्पादक STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
आधार उत्पाद संख्या STB55 STB5N STB55N STB55
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±30V ±16V ±16V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 60 V 525 V 30 V 60 V
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 60 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 27 nC @ 4.5 V 37 nC @ 4.5 V
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
शृंखला STripFET™ II SuperMESH3™ STripFET™ II STripFET™ II
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1300 pF @ 25 V 545 pF @ 100 V 1265 pF @ 25 V 1700 pF @ 25 V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4.5V @ 50µA 1V @ 250µA 4.7V @ 250µA
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 50A (Tc) 4.4A (Tc) 55A (Tc) 55A (Tc)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 18mOhm @ 27.5A, 10V 1.5Ohm @ 2.2A, 10V 13mOhm @ 27.5A, 10V 18mOhm @ 27.5A, 10V
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 4.5V, 10V 10V, 5V
FET फ़ीचर - - - -
प्रदायक डिवाइस पैकेज D2PAK D²PAK (TO-263) D²PAK D2PAK
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 110W (Tc) 70W (Tc) 80W (Tc) 95W (Tc)
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

STB55NF06T4 डेटशीट पीडीएफ

STB55NF06T4 - STMicroelectronics के लिए STB55NF06T4 PDF DataSheets और STMicroelectronics प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
STx55NF06(-1,FP).pdf
पीसीएन पैकेजिंग
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013.pdf IPG-PWR/14/8422 11/Apr/2014.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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STB55NF06T4

STMicroelectronics
32D-STB55NF06T4

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