Name: STMicroelectronics STB55NF06LT4
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB55NF06LT4
Availability: InStock
Rating: 5 (4 reviews)

विशेष विवरण

STB55NF06LT4 तकनीकी विनिर्देश
STMicroelectronics - STB55NF06LT4 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और STMicroelectronics - STB55NF06LT4 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
उत्पादक	STMicroelectronics
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	4.7V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)	±16V
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज	D2PAK
शृंखला	STripFET™ II
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	18mOhm @ 27.5A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	95W (Tc)
पैकेज / प्रकरण	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
पैकेट	Tape & Reel (TR)

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
परिचालन तापमान	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	1700 pF @ 25 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	37 nC @ 4.5 V
FET प्रकार	N-Channel
FET फ़ीचर	-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	10V, 5V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	60 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	55A (Tc)
आधार उत्पाद संख्या	STB55

पर्यावरण और निर्यात वर्गीकरण

गुण	विवरण
RoHs स्थिति
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)	1 (Unlimited)
तक पहुँचने की स्थिति	REACH Unaffected
ECCN	EAR99
HTSUS

शिपमेंट

डिलीवरी का समय

इन-स्टॉक आइटम को 24 घंटे के भीतर भेजा जा सकता है।कुछ हिस्सों को 1-2 दिनों के भीतर डिलीवरी के लिए व्यवस्थित किया जाएगा, जिस तारीख से सभी आइटम हमारे गोदाम में आते हैं।और Allelco जहाज दिन में एक बार रविवार को छोड़कर लगभग 17:00 बजे ऑर्डर करते हैं।एक बार माल भेजने के बाद, अनुमानित डिलीवरी का समय शिपिंग विधियों और वितरण गंतव्य पर निर्भर करता है।नीचे दी गई तालिका कुछ सामान्य देशों के लिए लॉजिस्टिक समय है।

वितरण लागत

यदि आपके पास एक है तो शिपमेंट के लिए अपने एक्सप्रेस खाते का उपयोग करें।
शिपमेंट के लिए हमारे खाते का उपयोग करें।अनुमानित शुल्क के लिए नीचे दी गई तालिका देखें।

(अलग -अलग समय सीमा / देश / पैकेज आकार की कीमत अलग है।)

डिलिवरी विधि

डीएचएल / यूपीएस / फेडएक्स / टीएनटी / ईएमएस / एसएफ द्वारा वैश्विक सामान्य शिपमेंट हम समर्थन करते हैं।
अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र	देश	लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका	संयुक्त राज्य अमेरिका	5
अमेरिका	ब्राज़िल	7
यूरोप	जर्मनी	5
	यूनाइटेड किंगडम	4
	इटली	5
ओशिनिया	ऑस्ट्रेलिया	6
ओशिनिया	न्यूज़ीलैंड	5
एशिया	भारत	4
एशिया	जापान	4
मध्य पूर्व	इजराइल	6

डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क	संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा	USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा	USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा	USD $50.00 - USD $100.00

टिप्पणी:: उपरोक्त तालिका केवल संदर्भ के लिए है।बेकाबू कारकों के लिए कुछ डेटा पूर्वाग्रह हो सकते हैं।
अगर तुम्हारे पास कोई सवाल है तो हमसे संपर्क करें।

कृपया हमारे आधिकारिक संस्करण के रूप में अंग्रेजी संस्करण देखें।

STB55NF06LT4 - STMicroelectronics

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उत्पाद विशेषता
भाग संख्या	STB55NF06LT4	STB57N65M5	STB55NF06T4	STB5N52K3
उत्पादक	STMicroelectronics	STMicroelectronics	STMicroelectronics	STMicroelectronics
आधार उत्पाद संख्या	STB55	STB57	STB55	STB5N
पैकेज / प्रकरण	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
FET फ़ीचर	-	-	-	-
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	4.7V @ 250µA	5V @ 250µA	4V @ 250µA	4.5V @ 50µA
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	95W (Tc)	250W (Tc)	110W (Tc)	70W (Tc)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	1700 pF @ 25 V	4200 pF @ 100 V	1300 pF @ 25 V	545 pF @ 100 V
परिचालन तापमान	-55°C ~ 175°C (TJ)	150°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
वीजीएस (मैक्स)	±16V	±25V	±20V	±30V
FET प्रकार	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	60 V	650 V	60 V	525 V
प्रदायक डिवाइस पैकेज	D2PAK	D²PAK (TO-263)	D2PAK	D²PAK (TO-263)
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	10V, 5V	10V	10V	10V
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	18mOhm @ 27.5A, 10V	63mOhm @ 21A, 10V	18mOhm @ 27.5A, 10V	1.5Ohm @ 2.2A, 10V
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
पैकेट	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	37 nC @ 4.5 V	98 nC @ 10 V	60 nC @ 10 V	17 nC @ 10 V
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	55A (Tc)	42A (Tc)	50A (Tc)	4.4A (Tc)
शृंखला	STripFET™ II	MDmesh™ V	STripFET™ II	SuperMESH3™

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