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उत्तरी अमेरिका
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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलFQH140N10
onsemi
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FQH140N10 - onsemi

उत्पादक भाग संख्या
FQH140N10
उत्पादक
onsemi
Allelco भाग संख्या
32D-FQH140N10
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 100V 140A TO247-3
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-247-3
विवरण तालिका
FQH140N10.pdf
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मात्रा

विशेष विवरण

FQH140N10 तकनीकी विनिर्देश
onsemi - FQH140N10 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और onsemi - FQH140N10 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक onsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±25V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-247-3  
शृंखला QFET®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 10mOhm @ 70A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 375W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-247-3  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 7900 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 285 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 140A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या FQH1  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में onsemi FQH140N10 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता FQH140N10 FQH140N10 NTD60N02RG BSC040N08NS5ATMA1
भाग संख्या FQH140N10 FQH140N10 NTD60N02RG BSC040N08NS5ATMA1
उत्पादक onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Infineon Technologies
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 10mOhm @ 70A, 10V 10mOhm @ 70A, 10V 10.5mOhm @ 20A, 10V 4mOhm @ 50A, 10V
वीजीएस (मैक्स) ±25V ±25V ±20V ±20V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 285 nC @ 10 V 285 nC @ 10 V 14 nC @ 4.5 V 54 nC @ 10 V
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 7900 pF @ 25 V 7900 pF @ 25 V 1330 pF @ 20 V 3900 pF @ 40 V
पैकेट Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 375W (Tc) 375W (Tc) 1.25W (Ta), 58W (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc)
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
FET फ़ीचर - - - -
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 140A (Tc) 140A (Tc) 8.5A (Ta), 32A (Tc) 100A (Tc)
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
पैकेज / प्रकरण TO-247-3 TO-247-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 8-PowerTDFN
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-247-3 TO-247 DPAK PG-TDSON-8-7
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 4.5V, 10V 6V, 10V
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 250µA 3.8V @ 67µA
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V 100 V 25 V 80 V
आधार उत्पाद संख्या FQH1 - NTD60 BSC040
शृंखला QFET® QFET® - OptiMOS™

FQH140N10 डेटशीट पीडीएफ

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डाटा शीट
FQH140N10.pdf
पर्यावरण सूचना
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
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यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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