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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलFQH18N50V2
onsemi
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FQH18N50V2 - onsemi

उत्पादक भाग संख्या
FQH18N50V2
उत्पादक
onsemi
Allelco भाग संख्या
32D-FQH18N50V2
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-247-3
विवरण तालिका
FQH18N50V2.pdf
तुलना
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मात्रा

विशेष विवरण

FQH18N50V2 तकनीकी विनिर्देश
onsemi - FQH18N50V2 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और onsemi - FQH18N50V2 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक onsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±30V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-247-3  
शृंखला QFET®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 265mOhm @ 10A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 277W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-247-3  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 3290 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 55 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 500 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 20A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या FQH1  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में onsemi FQH18N50V2 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता FQH18N50V2 SQ2303ES-T1_GE3 FQH90N15 FDP4D5N10C
भाग संख्या FQH18N50V2 SQ2303ES-T1_GE3 FQH90N15 FDP4D5N10C
उत्पादक onsemi Vishay Siliconix onsemi onsemi
FET फ़ीचर - - - -
पैकेज / प्रकरण TO-247-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-247-3 TO-220-3
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 20A (Tc) 2.5A (Tc) 90A (Tc) 128A (Tc)
वीजीएस (मैक्स) ±30V ±20V ±25V ±20V
शृंखला QFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® QFET® PowerTrench®
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 55 nC @ 10 V 6.8 nC @ 10 V 285 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 3290 pF @ 25 V 210 pF @ 25 V 8700 pF @ 25 V 5065 pF @ 50 V
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 4.5V, 10V 10V 10V
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-247-3 SOT-23-3 (TO-236) TO-247-3 TO-220-3
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 500 V 30 V 150 V 100 V
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 265mOhm @ 10A, 10V 170mOhm @ 1.8A, 10V 18mOhm @ 45A, 10V 4.5mOhm @ 100A, 10V
पैकेट Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 277W (Tc) 1.9W (Tc) 375W (Tc) 2.4W (Ta), 150W (Tc)
आधार उत्पाद संख्या FQH1 SQ2303 FQH9 FDP4D5
FET प्रकार N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 310µA

FQH18N50V2 डेटशीट पीडीएफ

FQH18N50V2 - onsemi के लिए FQH18N50V2 PDF DataSheets और onsemi प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
FQH18N50V2.pdf
पर्यावरण सूचना
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf

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क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
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यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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