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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलFQH8N100C
onsemi
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FQH8N100C - onsemi

उत्पादक भाग संख्या
FQH8N100C
उत्पादक
onsemi
Allelco भाग संख्या
32D-FQH8N100C
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 1000V 8A TO247-3
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-247-3
विवरण तालिका
FQH8N100C.pdf
RoHs स्थिति
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मात्रा

विशेष विवरण

FQH8N100C तकनीकी विनिर्देश
onsemi - FQH8N100C तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और onsemi - FQH8N100C के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक onsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±30V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-247-3  
शृंखला QFET®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 1.45Ohm @ 4A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 225W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-247-3  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 3220 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 70 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 1000 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 8A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या FQH8N100  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में onsemi FQH8N100C के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता FQH8N100C APT47F60J FDMA291P IRFR3911TRPBF
भाग संख्या FQH8N100C APT47F60J FDMA291P IRFR3911TRPBF
उत्पादक onsemi Microchip Technology onsemi Infineon Technologies
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 1.8V, 4.5V 10V
FET प्रकार N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
पैकेट Tube Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
शृंखला QFET® POWER MOS 8™ PowerTrench® HEXFET®
पैकेज / प्रकरण TO-247-3 SOT-227-4, miniBLOC 6-WDFN Exposed Pad TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 70 nC @ 10 V 330 nC @ 10 V 14 nC @ 4.5 V 32 nC @ 10 V
आधार उत्पाद संख्या FQH8N100 APT47F60 FDMA291 -
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 1000 V 600 V 20 V 100 V
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Chassis Mount Surface Mount Surface Mount
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 8A (Tc) 49A (Tc) 6.6A (Ta) 14A (Tc)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 250µA 5V @ 2.5mA 1V @ 250µA 4V @ 250µA
FET फ़ीचर - - - -
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 3220 pF @ 25 V 13190 pF @ 25 V 1000 pF @ 10 V 740 pF @ 25 V
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 1.45Ohm @ 4A, 10V 90mOhm @ 33A, 10V 42mOhm @ 6.6A, 4.5V 115mOhm @ 8.4A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 225W (Tc) 540W (Tc) 2.4W (Ta) 56W (Tc)
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-247-3 ISOTOP® 6-MicroFET (2x2) D-Pak
वीजीएस (मैक्स) ±30V ±30V ±8V ±20V

FQH8N100C डेटशीट पीडीएफ

FQH8N100C - onsemi के लिए FQH8N100C PDF DataSheets और onsemi प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
FQH8N100C.pdf
पर्यावरण सूचना
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
पीसीएन पैकेजिंग
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
पीसीएन अप्रचलन/ ईओएल
Mult Dev EOL 23/Dec/2021.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
Mult Dev Assembly/DS Chg 6/Jan/2019.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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