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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलFQH140N10
Fairchild Semiconductor
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FQH140N10 - Fairchild Semiconductor

उत्पादक भाग संख्या
FQH140N10
उत्पादक
Fairchild (onsemi)
Allelco भाग संख्या
32D-FQH140N10
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 100V 140A TO247-3
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-247-3
विवरण तालिका
FQH140N10.pdf
RoHs स्थिति
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मात्रा

विशेष विवरण

FQH140N10 तकनीकी विनिर्देश
Fairchild Semiconductor - FQH140N10 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Fairchild Semiconductor - FQH140N10 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Fairchild (onsemi)  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±25V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-247  
शृंखला QFET®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 10mOhm @ 70A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 375W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-247-3  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 7900 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 285 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 140A (Tc)  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Fairchild Semiconductor FQH140N10 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता FQH140N10 FQH140N10 FDME910PZT IRFZ44VZSPBF
भाग संख्या FQH140N10 FQH140N10 FDME910PZT IRFZ44VZSPBF
उत्पादक Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor Infineon Technologies
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 140A (Tc) 140A (Tc) 8A (Ta) 57A (Tc)
FET फ़ीचर - - - -
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 375W (Tc) 375W (Tc) 2.1W (Ta) 92W (Tc)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4V @ 250µA 1.5V @ 250µA 4V @ 250µA
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
शृंखला QFET® QFET® PowerTrench® HEXFET®
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V 100 V 20 V 60 V
पैकेज / प्रकरण TO-247-3 TO-247-3 6-PowerUFDFN TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 285 nC @ 10 V 285 nC @ 10 V 21 nC @ 4.5 V 65 nC @ 10 V
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-247 TO-247-3 MicroFet 1.6x1.6 Thin D2PAK
FET प्रकार N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
पैकेट Tube Tube Bulk Tube
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 1.8V, 4.5V 10V
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 10mOhm @ 70A, 10V 10mOhm @ 70A, 10V 24mOhm @ 8A, 4.5V 12mOhm @ 34A, 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 7900 pF @ 25 V 7900 pF @ 25 V 2110 pF @ 10 V 1690 pF @ 25 V
वीजीएस (मैक्स) ±25V ±25V ±8V ±20V

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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