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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलJANTXV2N6782
Microsemi Corporation
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JANTXV2N6782 - Microsemi Corporation

उत्पादक भाग संख्या
JANTXV2N6782
उत्पादक
Microsemi
Allelco भाग संख्या
32D-JANTXV2N6782
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 100V 3.5A TO205AF
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-205AF Metal Can
विवरण तालिका
JANTXV2N6782.pdf
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मात्रा

विशेष विवरण

JANTXV2N6782 तकनीकी विनिर्देश
Microsemi Corporation - JANTXV2N6782 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Microsemi Corporation - JANTXV2N6782 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Microsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-205AF (TO-39)  
शृंखला Military, MIL-PRF-19500/556  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 610mOhm @ 3.5A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 800mW (Ta), 15W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-205AF Metal Can  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
पैकेट Bulk  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 8.1 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 3.5A (Tc)  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Microsemi Corporation JANTXV2N6782 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता JANTXV2N6782 JANTXV2N7225 JANTXV2N7236 JANTXV2N6798
भाग संख्या JANTXV2N6782 JANTXV2N7225 JANTXV2N7236 JANTXV2N6798
उत्पादक Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microsemi Corporation
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 3.5A (Tc) 27.4A (Tc) 18A (Tc) 5.5A (Tc)
पैकेज / प्रकरण TO-205AF Metal Can TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) TO-205AF Metal Can
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V 200 V 100 V 200 V
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 610mOhm @ 3.5A, 10V 105mOhm @ 27.4A, 10V 220mOhm @ 18A, 10V 420mOhm @ 5.5A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 800mW (Ta), 15W (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) 4W (Ta), 125W (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc)
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
FET फ़ीचर - - - -
शृंखला Military, MIL-PRF-19500/556 Military, MIL-PRF-19500/592 Military, MIL-PRF-19500/595 Military, MIL-PRF-19500/557
पैकेट Bulk Bulk Bulk Bulk
FET प्रकार N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 8.1 nC @ 10 V 115 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 42.07 nC @ 10 V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-205AF (TO-39) TO-254AA TO-254AA TO-205AF (TO-39)
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V

JANTXV2N6782 डेटशीट पीडीएफ

JANTXV2N6782 - Microsemi Corporation के लिए JANTXV2N6782 PDF DataSheets और Microsemi Corporation प्रलेखन डाउनलोड करें।

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पीसीएन अप्रचलन/ ईओएल
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क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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