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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलJANTXV2N7236
Microsemi Corporation
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JANTXV2N7236 - Microsemi Corporation

उत्पादक भाग संख्या
JANTXV2N7236
उत्पादक
Microsemi
Allelco भाग संख्या
32D-JANTXV2N7236
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET P-CH 100V 18A TO254AA
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
विवरण तालिका
JANTXV2N7236.pdf
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मात्रा

विशेष विवरण

JANTXV2N7236 तकनीकी विनिर्देश
Microsemi Corporation - JANTXV2N7236 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Microsemi Corporation - JANTXV2N7236 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Microsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-254AA  
शृंखला Military, MIL-PRF-19500/595  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 220mOhm @ 18A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 4W (Ta), 125W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
पैकेट Bulk  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 60 nC @ 10 V  
FET प्रकार P-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 18A (Tc)  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Microsemi Corporation JANTXV2N7236 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता JANTXV2N7236 JANTXV2N7225 JANTXV2N6782 JANTXV2N6849
भाग संख्या JANTXV2N7236 JANTXV2N7225 JANTXV2N6782 JANTXV2N6849
उत्पादक Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microsemi Corporation
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
FET प्रकार P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
पैकेज / प्रकरण TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) TO-205AF Metal Can TO-205AF Metal Can
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 220mOhm @ 18A, 10V 105mOhm @ 27.4A, 10V 610mOhm @ 3.5A, 10V 320mOhm @ 6.5A, 10V
पैकेट Bulk Bulk Bulk Bulk
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V 200 V 100 V 100 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 18A (Tc) 27.4A (Tc) 3.5A (Tc) 6.5A (Tc)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 60 nC @ 10 V 115 nC @ 10 V 8.1 nC @ 10 V 34.8 nC @ 10 V
शृंखला Military, MIL-PRF-19500/595 Military, MIL-PRF-19500/592 Military, MIL-PRF-19500/556 Military, MIL-PRF-19500/564
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 4W (Ta), 125W (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) 800mW (Ta), 15W (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc)
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-254AA TO-254AA TO-205AF (TO-39) TO-205AF (TO-39)
FET फ़ीचर - - - -
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V

JANTXV2N7236 डेटशीट पीडीएफ

JANTXV2N7236 - Microsemi Corporation के लिए JANTXV2N7236 PDF DataSheets और Microsemi Corporation प्रलेखन डाउनलोड करें।

पर्यावरण सूचना
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
पीसीएन अप्रचलन/ ईओएल
Last Time Buy Revision 08/Jul/2015.pdf Multiple Devices 12/Jun/2015.pdf

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क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
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यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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