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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलJANTXV2N6849
Microsemi Corporation
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JANTXV2N6849 - Microsemi Corporation

उत्पादक भाग संख्या
JANTXV2N6849
उत्पादक
Microsemi
Allelco भाग संख्या
32D-JANTXV2N6849
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET P-CH 100V 6.5A TO205AF
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-205AF Metal Can
विवरण तालिका
JANTXV2N6849.pdf
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विशेष विवरण

JANTXV2N6849 तकनीकी विनिर्देश
Microsemi Corporation - JANTXV2N6849 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Microsemi Corporation - JANTXV2N6849 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Microsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-205AF (TO-39)  
शृंखला Military, MIL-PRF-19500/564  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 320mOhm @ 6.5A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 800mW (Ta), 25W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-205AF Metal Can  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
पैकेट Bulk  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 34.8 nC @ 10 V  
FET प्रकार P-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 6.5A (Tc)  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Microsemi Corporation JANTXV2N6849 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता JANTXV2N6849 JANTXV2N7224U JANTXV2N6796 JANTXV2N6798
भाग संख्या JANTXV2N6849 JANTXV2N7224U JANTXV2N6796 JANTXV2N6798
उत्पादक Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microsemi Corporation
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 6.5A (Tc) 34A (Tc) 8A (Tc) 5.5A (Tc)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 34.8 nC @ 10 V 125 nC @ 10 V 28.51 nC @ 10 V 42.07 nC @ 10 V
पैकेट Bulk Bulk Bulk Bulk
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 800mW (Ta), 25W (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc)
FET फ़ीचर - - - -
पैकेज / प्रकरण TO-205AF Metal Can TO-267AB TO-205AF Metal Can TO-205AF Metal Can
FET प्रकार P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-205AF (TO-39) TO-267AB TO-205AF (TO-39) TO-205AF (TO-39)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V 100 V 100 V 200 V
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
शृंखला Military, MIL-PRF-19500/564 Military, MIL-PRF-19500/592 Military, MIL-PRF-19500/557 Military, MIL-PRF-19500/557
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 320mOhm @ 6.5A, 10V 81mOhm @ 34A, 10V 195mOhm @ 8A, 10V 420mOhm @ 5.5A, 10V

JANTXV2N6849 डेटशीट पीडीएफ

JANTXV2N6849 - Microsemi Corporation के लिए JANTXV2N6849 PDF DataSheets और Microsemi Corporation प्रलेखन डाउनलोड करें।

पर्यावरण सूचना
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
पीसीएन अप्रचलन/ ईओएल
Last Time Buy Revision 08/Jul/2015.pdf Multiple Devices 12/Jun/2015.pdf

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क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
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यूरोप जर्मनी 5
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इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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