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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलJANTXV2N6796
Microsemi Corporation
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JANTXV2N6796 - Microsemi Corporation

उत्पादक भाग संख्या
JANTXV2N6796
उत्पादक
Microsemi
Allelco भाग संख्या
32D-JANTXV2N6796
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 100V 8A TO205AF
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-205AF Metal Can
विवरण तालिका
JANTXV2N6796.pdf
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विशेष विवरण

JANTXV2N6796 तकनीकी विनिर्देश
Microsemi Corporation - JANTXV2N6796 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Microsemi Corporation - JANTXV2N6796 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Microsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-205AF (TO-39)  
शृंखला Military, MIL-PRF-19500/557  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 195mOhm @ 8A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 800mW (Ta), 25W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-205AF Metal Can  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
पैकेट Bulk  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 28.51 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 8A (Tc)  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Microsemi Corporation JANTXV2N6796 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता JANTXV2N6796 JANTXV2N6798 JANTXV2N7236 JANTXV2N6782
भाग संख्या JANTXV2N6796 JANTXV2N6798 JANTXV2N7236 JANTXV2N6782
उत्पादक Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microsemi Corporation
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 800mW (Ta), 25W (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) 4W (Ta), 125W (Tc) 800mW (Ta), 15W (Tc)
पैकेज / प्रकरण TO-205AF Metal Can TO-205AF Metal Can TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) TO-205AF Metal Can
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V 200 V 100 V 100 V
FET प्रकार N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 8A (Tc) 5.5A (Tc) 18A (Tc) 3.5A (Tc)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 195mOhm @ 8A, 10V 420mOhm @ 5.5A, 10V 220mOhm @ 18A, 10V 610mOhm @ 3.5A, 10V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
शृंखला Military, MIL-PRF-19500/557 Military, MIL-PRF-19500/557 Military, MIL-PRF-19500/595 Military, MIL-PRF-19500/556
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-205AF (TO-39) TO-205AF (TO-39) TO-254AA TO-205AF (TO-39)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 28.51 nC @ 10 V 42.07 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 8.1 nC @ 10 V
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET फ़ीचर - - - -
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
पैकेट Bulk Bulk Bulk Bulk

JANTXV2N6796 डेटशीट पीडीएफ

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क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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