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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलJANTXV2N7225
Microsemi Corporation
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JANTXV2N7225 - Microsemi Corporation

उत्पादक भाग संख्या
JANTXV2N7225
उत्पादक
Microsemi
Allelco भाग संख्या
32D-JANTXV2N7225
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 200V 27.4A TO254AA
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
विवरण तालिका
JANTXV2N7225.pdf
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मात्रा

विशेष विवरण

JANTXV2N7225 तकनीकी विनिर्देश
Microsemi Corporation - JANTXV2N7225 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Microsemi Corporation - JANTXV2N7225 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Microsemi  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-254AA  
शृंखला Military, MIL-PRF-19500/592  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 105mOhm @ 27.4A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 4W (Ta), 150W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
पैकेट Bulk  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 115 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 200 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 27.4A (Tc)  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Microsemi Corporation JANTXV2N7225 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता JANTXV2N7225 JANTXV2N6798 JANTXV2N6796 JANTXV2N6790
भाग संख्या JANTXV2N7225 JANTXV2N6798 JANTXV2N6796 JANTXV2N6790
उत्पादक Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microsemi Corporation
FET फ़ीचर - - - -
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 115 nC @ 10 V 42.07 nC @ 10 V 28.51 nC @ 10 V 14.3 nC @ 10 V
शृंखला Military, MIL-PRF-19500/592 Military, MIL-PRF-19500/557 Military, MIL-PRF-19500/557 Military, MIL-PRF-19500/555
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 27.4A (Tc) 5.5A (Tc) 8A (Tc) 3.5A (Tc)
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 4W (Ta), 150W (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) 800mW (Tc)
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
पैकेज / प्रकरण TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) TO-205AF Metal Can TO-205AF Metal Can TO-205AF Metal Can
पैकेट Bulk Bulk Bulk Bulk
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-254AA TO-205AF (TO-39) TO-205AF (TO-39) TO-205AF (TO-39)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 200 V 200 V 100 V 200 V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 105mOhm @ 27.4A, 10V 420mOhm @ 5.5A, 10V 195mOhm @ 8A, 10V 850mOhm @ 3.5A, 10V
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V

JANTXV2N7225 डेटशीट पीडीएफ

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पीसीएन अप्रचलन/ ईओएल
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क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
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यूरोप जर्मनी 5
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इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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